GaN-Based Schottky Diode - IntechOpen
2018年9月12日 · This chapter reviews the property of GaN material, the advantage of GaN-based SBD, and the Schottky contact to GaN including current transporation theory, Schottky …
Review of the Recent Progress on GaN-Based Vertical Power ... - MDPI
2019年5月24日 · This paper reviews the recent progress of vertical GaN SBD from literatures. The following aspects are covered; the device characteristics of GaN-based SBD in Section 2, …
Research progress and prospect of GaN Schottky diodes
2023年12月4日 · Starting from the three basic structures, this paper analyses and summarizes the research progress of GaN SBD (schottky barrier diode) in recent years. The design and …
AlGaN/GaN SBD的基本结构和工作原理 - GaNHEMT
AlGaN/GaN SBD最基本的工作原理是利用金属-半导体肖特基接触的单向导电性，金属与AlGaN/GaN接触时，在金属一侧形成势垒qΦ b ，在半导体一侧的势垒高度为qV bi …
GaN Schottky Barrier Diode (SBD) Modeling and Parameter …
A compact scalable large signal model for GaN Schottky diodes for multicathode application is proposed in this article. The scalable rules for extrinsic and intrinsic model parameters are …
A Novel AlGaN/GaN-Based Schottky Barrier Diode With Partial P-GaN …
The AlGaN/GaN PCT-SBD shows good potential in integrating with GaN-based power devices for temperature sensor applications. This article presents a temperature sensor based on a partial …
Chip发表南京大学陈鹏、张荣团队最新成果：具有双势垒阳极结构的横向AIGaN/GaN …
本工作从分析肖特基势垒的耗尽机制出发设计制备了双势垒阳极结构AlGaN/GaN SBD，研究者提出了由具有高功函数（铂Pt，5.65 eV）和低功函数（钽Ta，4.25 eV）组成的双势垒阳 …
GaN肖特基势垒二极管（SBD）的多阴极应用建模与参数提取_gan sbd …
2024年4月7日 · 开发紧凑可扩展的大信号模型：针对GaN（氮化镓）肖特基势垒二极管（SBD）在多阴极应用中的需求，作者提出了一个结构紧凑且具有 可扩展性 的大型信号模型。 这一模型 …
GaN基SBD的研究现状及面临的问题 - GaNHEMT
2010年，日本的Powdec KK半导体公司推出纵向结构GaN SBD，它采用特殊的蓝宝石衬底剥离技术，获得了高于600V的反向击穿电压、低于现有硅基电力电子器件100倍的通态电阻以及50% …
AlGaN/GaN SBD高质量肖特基接触电极的制作 - GaNHEMT
肖特基接触电极是AlGaN/GaN SBD中最为关键的工艺，它的质量直接影响到器件的各个重要性能的指标，如反向击穿电压和反向漏电流。 目前AlGaN表面肖特基接触的研究主要包括以下几 …
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