大概是因为三星在7nm上用了 DDB （然而三星的14nm就用了 SDB ），所以7nm密度不行，而5nm的密度之所以上来很大因素也是因为恢复使用了SDB。 我记得在10/7 节点上，只有Intel一开始就用了SDB，所以Intel的10nm算晶体管大小的时候是大于台积电7nm的，但是最后实际密度 ...

2022年9月22日 · 不过值得一提的是，在7nm工艺前后，三星引入了一种MDB（mixed diffusion break）。对应的技术似乎是三星的独家方案，据说能够更为精确地进行diffusion break相关时序与漏电分析，混合使用SDB和DDB（double diffusion break，上图(a)）达成更好地性能与功耗平衡。

然而在实际生产中，CPP将随单扩散（Single Diffusion Break,SDB）/双扩散（Double Diffusion Break,DDB）一起决定逻辑电路单元的宽度，如下图所示。 DDB与SDB对比. 仔细观察发现，双扩散（DDB）在每个逻辑单元的两边都会出现半个假栅，两个逻辑单元并排时其中部会组成一个完整的假栅，造成空间浪费；而单扩散（SDB）则解决了这一问题，提升了空间利用率，所以前面提到的台积电7nm DUV（DDB）升级为7nm EUV（SDB）时，每平方毫米晶体管数增加了1700万 …

2023年11月18日 · 原本每个晶体管各自有一个隔离带，叫DDB(Double Diffusion Breaks)，现在为了节约空间，只用一个隔离带了，叫SDB(Single Diffusion Breaks)就好比你家院子和邻居院子如果各修一个篱笆，自然会占用更多土地面积。于是你们两家商量一下，想办法合建一个篱笆来隔 …

Abstract: Single diffusion break (SDB), which provides electrical insulation between two finFET devices, is one of the critical steps in finFET semiconductor fabrication. With device dimension scaling down, SDB has shown a growing importance on chip yield performance.

2024年4月19日 · Smart Diffusion Break (SDB) is a technique utilized in semiconductor fabrication to enhance the performance and efficiency of FinFET transistors. In the context of Samsung’s foundry processes, SDB involves strategically placed breaks in the diffusion process.

还有就是不同管子拼接时，有源区的切断技术不一样，如DDB(Double-Diffision Break)和SDB(single-Diffusion Break)会导致CPP以及单元宽度的差异，图中可以看出使用了SDB切断的单元会比DDB的宽度要小；

2020年11月13日 · 5LPE最大的提升是新的6T UHD单元库，主要特性包括SDB（single diffusion break）、36nm的M2间距，CB on RX edge等（RX是指单元的活跃区域，CB属于额外的本地互联层，在单元内横向布局，将接触层的触点连接到多晶硅本地互联——位于第一层金属层之下，也就是MOL互联；所以 ...

在本文中公开的示例性方面中，在N型扩散区域中形成DDB或SDB，并且在P型扩散区域中形成相反类型扩散 (SDB或DDB)。 可以采用在电路的不同扩散区域中的DDB与SDB之间形成不同扩散断裂，来诱发将增加形成在相应P型或N型扩散区域中的P型或N型半导体器件的载流子迁移率的沟道应变，同时避免或减少这种诱发的形成在相应P型或N型扩散区域中的P型或N型半导体器件中的、可以降低载流子迁移率的沟道应变。

2021年6月11日 · 可以采用在电路的不同扩散区域中的ddb与sdb之间形成不同扩散断裂，来诱发将增加形成在相应p型或n型扩散区域中的p型或n型半导体器件的载流子迁移率的沟道应变，同时避免或减少这种诱发的形成在相应p型或n型扩散区域中的p型或n型半导体器件中的可能降低 ...