目前，量产的SiC有四种：CVD SiC，单晶SiC（单晶薄膜SiC也是用CVD生长的）， 反应键合SiC （reaction-bonded，含有10-40%的Si相），以及 热压SiC。 这四类SiC的热导率相差较大，CVD SiC在300-370 Wm^ {-1}K^ {-1} ，单晶SiC为490 Wm^ {-1}K^ {-1} ，反应键合为120-170 Wm^ {-1}K^ {-1} ，热压为50-120 Wm^ {-1}K^ {-1} 。 其中，单晶最高，但是制备的难度最大，制备尺寸最小；CVD SiC居其次，这是因为这种多晶材料相比另外两种，晶粒更为精细、均匀，因此热导 …

SiC同质外延生长技术有化学气相沉积技术(CVD)、液相外延技术(LPE)和分子束外延（MBE)等，CVD是目前生长SiC外延层最常用的生长设备。从历史来看, SiC CVD外延设备 主要有几种类型,包括冷壁(垂直或水平)、热壁（垂直或水平）、行星式和 Turbo Disk。

2023年2月15日 · SiC 薄膜生长方法有化学气相沉积 (chemical vapor deposition, CVD) 、 分子束外延 、 磁控溅射和脉冲激光淀积等, 其中 CVD 法具有 可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度 、 缺陷较少 、 生长速度适中 、 过程可自动控制等优点, 是目前已经成功商 业化的 SiC 外延技术 。

碳化硅 (sic) 的化学气相沉积 (cvd) 工艺涉及将气态反应物沉积到基材上以形成碳化硅薄膜。 该工艺由于能够生产高纯度、高性能材料而广泛应用于半导体行业。

在这项研究中，通过采用粉碎的cvd-sic块，成功地证明了pvt方法在高温梯度条件下快速生长sic晶体。 有趣的是，通过替换SiC源，PVT方法实现了SiC晶体的快速生长。

2024年1月1日 · In this study, the CVD SiC process on graphite substrate was efficiently controlled by molecular dynamics (MD)-finite volume (FVM) cross-scale simulations. The key deposition parameters such as MTS-H 2 flow rate, deposition pressure, and reaction source n M T S: n H 2 were first simulated by MD.

2019年12月1日 · In this paper, the deposition mechanism and microstructure characteristics of SiC during atmospheric pressure CVD are studied. The composition and morphology of SiC deposited on the substrate and the reactants in exhaust gas indicate that the reaction temperature determines the nucleation and deposition process.

以自行研发的cvd法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品. 碳化硅产品是硅（si）和碳（c）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。

集成电路刻蚀工艺用CVD SiC厚层材料的目标特征：1）高纯度，达到99.9999%（6N）的多晶陶瓷材料polycrystalline；2）高致密度，没有孔隙；3）高热导率（理论上可达~490 W/m·K，实际在200~400之间）；4）电阻率在合适的区间（0.01~500 \Omega\cdot cm ）；5）达到良好的等离子 …

2024年11月26日 · A recent study reported the rapid growth of SiC single crystals of ~1.5 mm/h using high-purity SiC sources obtained by recycling CVD-SiC blocks used as materials in semiconductor processes. This method has gained attention as a way to improve the productivity of the physical vapor transport (PVT) method, widely used for manufacturing single ...