工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？ - 知乎专栏
与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，如图4所示。
与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) FET 可提高功率密度和效率。 尽管 GaN 和 SiC 均具有宽带隙,但它门之间存在根本差异,因此分别适 …
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你
2022年3月30日 · GaN和SiC晶体管正变得唾手可得，以应对汽车电气设备的挑战。GaN和SiC器件的主要卖点是这些优势： 高电压能力，有650 V、900 V和1200 V的器件。 更快的开关速度。 …
第三代半导体：SiC和GaN测试与应用，半导体功率器件测试座的 …
SiC模块工作电压可达1200V以上，GaN器件高频开关电流达10A级，测试座需具备低接触阻抗（＜5mΩ）、耐高压（≥800V）及抗大电流脉冲能力。 2. 高温环境适应性
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC） - 知乎
2023年3月22日 · GaN 比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出 载流子浓度 非常高的器件结构，而载流子浓度直接决定了半导体的导电能力。 为什么 GaN …
深度|GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？-电子工程专辑
2024年12月11日 · 与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，如图2所示。
Introduction - SpringerLink
2025年3月25日 · Both SiC and GaN are wide bandgap materials, with SiC having a bandgap of 3.3 eV (4H-SiC polytype) and GaN having a bandgap of 3.4 eV. The wide bandgap material …
GaN 与 SiC 在电气化驱动应用中的差异和未来趋势 - OFweek电子 …
2024年12月19日 · GaN 和 SiC 都具有比传统硅更大的带隙和击穿电压。 SiC 可实现更高电压应用（例如 1.2 千伏以上），因此适用于高功率设备如电动汽车逆变器。 而 GaN 具有较高的电子 …
Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial …
Abstract: We present a comprehensive review and outlook of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) transistors available on the market for current and next-generation power …
SiC vs GaN：寬能隙半導體的不同世界 - 電子工程專輯
2023年2月3日 · 近期，寬能隙半導體技術也持續突破，以解決氮化鎵(GaN)效能仍不夠穩定，碳化矽(SiC基板長晶的障礙，而為提升產能，功率半導體供應商更開始嘗試轉到更大尺寸的晶圓。