与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，如图4所示。

与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) FET 可提高功率密度和效率。 尽管 GaN 和 SiC 均具有宽带隙,但它门之间存在根本差异,因此分别适合特定的拓扑和应用。 本文目的是比较两者在开关性能、成本和应用方面的差异,并说明各自提供的技术。 贝尔实验室的两位工程师在 20 世纪 50 年代发明了 MOSFET,在电力电子领域取得了重大突破。 几年后,第一个商用 MOSFET 投入生产。 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 自 20 世纪 80 年代 …

2020年4月30日 · 碳化硅（sic）是最成熟的wbg宽带隙半导体材料， 它已经广泛用于制造开关器件，例如mosfet和晶闸管。氮化镓（gan）具有作为功率器件半导体的潜力，并且在射频应用中是对硅的重大改进。

2022年3月30日 · 总结GaN与SiC的比较，以下是重点： GaN的开关速度比Si快。 SiC工作电压比GaN更高。 SiC需要高的门极驱动电压。 超级结MOSFET正逐渐被GaN和SiC取代。SiC似乎是车载充电器(OBC)的最爱。随着工程师们发现较新的器件并获得使用经验，这种趋势无疑将持续下去 …

2024年12月11日 · 与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，如图2所示。

2022年12月9日 · sic与mosfet相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, sic-mosfet并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和 光伏逆变器 （不考虑成本的话）的最优方案；

总结GaN与SiC的比较，以下是重点： · GaN的开关速度比Si快。 · SiC工作电压比GaN更高。 · SiC需要高的门极驱动电压；以及 · 超级结MOSFET正逐渐被GaN和SiC取代。SiC似乎是车载充电器（OBC）的最 爱。随着工程师们发现较新的器件并获得使用经验，这种趋势无疑将持续 ...

2024年11月26日 · 在感兴趣的 WBG 半导体中，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 为实现用于电源转换器（直流交流逆变器和直流直流转换器）的高压开关提供了出色的性能，最重要的是，它们具有最高的成熟度和工业化水平：因此，目前已有多种商用设备可用，并且已被用于许多应用。 除了 SiC 和 GaN 之外，从研究角度来看，其他 WB 半导体（例如氧化镓、金刚石和氮化铝）也引起了人们的极大兴趣，但它们目前的成熟度水平仍然阻碍了旨在短期内投放市场的工业投资。 尽管如 …

2022年6月6日 · SiC与GaN电气参数对比 下表是基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC，对两种功率半导体的关键参数进行了对比。 CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC关键参数对比

2023年2月3日 · 随着碳化硅(sic)、氮化镓(gan)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(mosfet)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然在成本 上 仍比传统硅