In-situ TEM investigations on the microstructural evolution of SiC ...
2023年4月1日 · SiC/SiC composites are attractive candidates for many nuclear systems. As reinforcements, SiC fibers are critical to the in-service performance of composites. In this …
A TEM study of SiC particles and filaments precipitated in ...
2008年10月1日 · The microstructure of SiC particles and SiC filament-type precipitates found in block-cast multicrystalline Si was studied in detail by transmission electron microscopy (TEM). …
4H-SiC外延晶圆中扩展层错复合缺陷起源的结构分析_高分辨tem的 …
2024年11月7日 · 为分析sfc的起源，研究采用了透射电子显微镜（tem）和高分辨扫描透射电子显微镜（stem）技术，以高空间分辨率观察和分析4h-sic外延晶圆中的缺陷结构。
TEM analysis of nanocrystalline SiC ceramics sintered by SPS …
2013年9月1日 · In this study, we fabricated the electrically conductive SiC ceramics with Al 2 O 3 –TiO 2 additive by spark plasma sintering (SPS) and investigated the microstructure in detail …
4H碳化硅单晶中的位错 - 知乎 - 知乎专栏
4H 碳化硅 (4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力 电子、射频/ 微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。 经过多年的发展,6 …
【综述】碳化硅中的缺陷检测技术 - 仪器信息网
2023年11月24日 · 扫描透射电子显微镜（stem）是一种透射电子显微镜，可以通过高角度环形暗场成像（haadf）获得原子级分辨率。通过tem和haadf-stem获得的图像如图4a所示。tem图像 …
TEM, HRTEM and SAED analysis of (a) un-irradiated crystalline SiC, …
TEM, HRTEM and SAED images of SiC-NWs were analyzed and are presented in Fig. 3. The results of un-irradiated SiC-NWs in Fig. 3a (i) show clearly that SiC-NWs have uniform …
TESCAN｜用于SiC晶体制备和表征大型TEM样品的提升方法
2024年4月11日 · 碳化硅 (SiC) 是一种晶体材料，用于开发各种电子设备，包括晶体管和其他高功率、高频和高温设备。与许多微电子材料一样，SiC 结构可能存在破坏晶格重复的缺陷。这些 …
TEM investigation of the interface formation during transfer of 3C-SiC …
2024年9月19日 · The article presents the results of the structural characterization of an interface formed during the transfer of a 3C-SiC layer onto a 6H-SiC(0001) wafer, performed with …
High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide …
2022年11月23日 · We report an isotropic high thermal conductivity exceeding 500 W m −1 K −1 at room temperature in high-quality wafer-scale cubic silicon carbide (3C-SiC) crystals, which …
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