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此款NPN高频晶体管采用SOT-23封装，集电极电流 (Ic)：100mA,集射极击穿电压 (Vceo):12V,功率 (Pd):200mW,特征频率 (fT):7GHz放大倍数125-250，具有有高功率增益和低噪声特性，适于主要用于通信设备中的高频放大，微波相控阵雷达功率放大、以及其他需要高功率增益和低噪声 ...

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R25 用于各种高频遥控器中的高频中功率 NPN型三极管，有多种频率和放大系数。 常见封装形式为SOT-23，塑料封装，型号为2SC3356。 集电极-发射极电压 12V 集电极-基电压 20V 射极- 基极 电压 3V 集电极电流 100MA 耗散功率 200MW 结温 150℃ 特怔频率 7GHZ

2SC3356W (BR3DG3356W) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-323 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package. / Features Low noise and high power gain.

Marking: R25. Part #: 2SC3356D. Package: SC-59. Datasheet: 1MbKb/5P. Manufacturer: SHIKUES Electronics. Description: NPN Silicon RF Transistor. 15 Results.

Main Marking SMD R2Marking of electronic components, SMD Codes R2**, R23, R24, R25, R29A, R29B, R29C, R29D, R29E, R29F, R2A, R2F, R2G, R2T, R2X, R2p, R2s. Datasheets ...

Features Low noise and high gain High power gain Marking Code: 2SC3356=R25 Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

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2SC3356-R25 KEXIN $0.0764 - 12V 200mW 125@20mA,10V 100mA SOT-23-3 Bipolar (BJT) ROHS datasheet, price, inventory C489339