2024年5月17日 · sot-23封装的元器件，因其pcb占地小，分立易布置，功能独立，选型范围广，价格便宜等各种优点，深受硬件工程师的青睐。

Package style descriptive code SOT (small outline transistor) Package body material type P JEDEC package outline code TO-236AB Handling precautions IC26_CHAPTER_3_2000 Thermal design considerations SC18_1999_CHAPTER_5_2 Mounting method type S (surface mount) Generic mounting and soldering information AN10365_3 Reflow soldering footprint SOT023_fr

重复额定值:脉冲宽度受最大结温度限制。 安装在FR4 板上,t ≤10秒。 脉冲测试: 脉冲宽度≤ 300μs ,占空比≤ 2%。 图2 传输特性曲线. 图8 安全工作区曲线.

A small outline transistor (SOT) is a family of small footprint, discrete surface mount transistor commonly used in consumer electronics. The most common SOT are SOT23 variations,. [1] SOT23-5 differs from SOT23 in a wider body of 1.6 mm (0.063 in) instead of 1.3 mm (0.051 in).

2021年7月9日 · sot-23 增强型MOS(EMOS)场效应管 根据图，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P 型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。

2020年1月7日 · sot-23封装的元器件，因其pcb占地小，分立易布置，功能独立，选型范围广，价格便宜等各种优点，深受硬件工程师的青睐。

SOT-23! "!!! " " " PIN2 D PIN1 G PIN3 S N-Channel MOSFET 5N10 ELECTRONICS CO.,LTD N-Channel Enhancement Mode MOSFET ... (th) Typical Characteristics Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 On-Resistance vs G-S Voltage 3 Source Drain …

SOT-23-3L S G S D SOT-23-3L(Top View) ... (th) V DS = V GS, I D =-250μA -1 -1.4 -3 V Drain-source on-state resistance1 R DS(on) V GS =-10V,I D =-4.1A - 50 60 mΩ V GS =-4.5V,I D =-3.0A - 68 87 Forward Trans conductance1 g fs V DS =-5V,I D =-4A 5.5 - - S Dynamic Characteristics2 Input capacitance C iss V GS =0V ,V DS =-15V, f=1.0MHz - 700 -

LTC1982 的典型应用 - SOT-23 中的单通道和双通道微功率高侧开关控制器; LTM4607 的典型应用 - 36Vin、24Vout 高效降压-升压型 DC/DC 模块 使用 Analog Devices 的 LT1086CT-2.85 的参考设计 EVAL-AD7621CB，AD7621 评估板，48 引脚，16 位 PulSAR 模数转换器

NP4N10MR-N-G 是一款由南麟(Natlinear) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装。 它是一款高性能的功率器件，在各种电子应用中提供可靠的性能。 本文将对 NP4N10MR-N-G 的特性、应用、参数和优势进行详细分析，帮助用户更深入地了解该器件。