
NanoFab Tool: SSEC Single Wafer Cleaning System 3
2017年1月26日 · The SSEC model 3300ML single wafer spray acid cleaning system supports RCA process in the NanoFab cleanroom. This system mixes, heats and delivers chemicals on demand and provides better wafer cleaning capability by …
WaferStorm Wet Processing Platform - Veeco
The 3300-series platform is the high-volume work horse of the industry. The 3300-series architecture is extremely flexible as the user can have up to 8 chambers per system depending on throughput requirements.
The SSEC 3300 family of wet cleaners and processors implements single wafer technology in application-specific configurations for cleaning, coating, developing, etching, and solvent processing in a completely digital processing environment.
SSEC 3300系列晶圆湿法工艺设备 - 仪器信息网
ssec 3300系列晶圆湿法工艺设备. ssec的3300系列单片式晶圆清洗和处理工艺设备所呈现的技术,不但可以达到你今天的生产目标,并且可以满足未来多年以后要求.
Trilennium™ 3300 - Electronics Web
Trilennium 3300 systems are built in application-specific arrangements, with multiple blade robotic handlers and available FOUP interface. Contact SSEC about the Trilennium 3300 system to take you to 300 mm wafer processing.
SSEC专为WaferEtch平台提供多路收集排放管道-电子工程专辑
2013年9月9日 · 多路收集排放管道现在已是所有WaferEtch平台的标准配置,还可加装到现有的3300系列工具上。 SSEC推出全新功能工具,即专为WaferEtch平台设计的多路收集排放管道。 新款独有的排放设计可以在相同反应室内收集、再循环并隔离多种化学成份,几乎可以完全消除化学成份之间的交叉污染。
SSEC: 3300 Series for TSV Clean - 3D InCites
SSEC’s 3300 Series for TSV Clean is proven to remove residues that wet bench-only or spray-only leave behind. The tool features equal-time soak software for process control. Each wafer soaks in heated, recirculating solvent long enough to penetrate the polymer residue.
SSEC 清洗、刻蚀、剥离、去胶、显影湿法工艺设备3300系列-「其 …
SSEC公司 3300 系列机台是一种单片式工艺设备,广泛用于 清洗、刻蚀、剥离、去胶 以及 显影 等工艺开发。 根据具体配置和型号,该系列设备可满足研发至大规模生产的需求。 SSEC3300系统可根据客户的具体需求进行灵活配置,无论是多步工艺,使用机械臂的流水化工艺或者并行处理工艺, SSEC 都可针对客户需求提供一个完整的解决方案。 标准系统可提供 1 至 12 个工艺站。 所有 SSEC 工艺设备都在厂家的应用实验室进行安装和测试。 为保证设备工艺性能和工作稳 …
SSEC 3300系列晶圆湿法工艺设备价格 售后服务怎么样-仪器信息网
2023年12月14日 · 如您想了解更多关于ssec 3300系列晶圆湿法工艺设备的报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。 最新攻略 相关攻略
《炬丰科技-半导体工艺》硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制 - 知乎
实验是在SSEC 3300系列单片自旋处理器系统上进行的。 所采用的化学方法是 氢氟酸 、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的比例混合。 化学再循环采用SSEC的收集环技术。 在蚀刻过程中有许多 工艺参数 可以改变,从以前的工作中选择了一个优化的工艺来进行这项研究。 图1:恒定蚀刻时间下的硅蚀刻深度。 书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制 编号:JFKJ-21-235 作者:炬丰科技 文摘 薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适 …