STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。

STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。

2022年8月15日 · 【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应（LOD效应），内容包括LOD效应基本定义，电流镜电路基本原理，伪器件电路的用途，即以电流镜和添加伪器件电流镜电路的版图设计为例进行分析。

2024年10月2日 · 如上图，STI（Shallow Trench Isolation）浅沟槽隔离，先在硅片上刻蚀浅沟槽，然后填充氧化硅，形成电气隔离层。 主要作用是将 CMOS 的nMOSFET和pMOSFET隔离开，防止相互干扰。

2014年4月8日 · LOD ( Length of Diffusion): 從025um以下的製程，元件之間是利用較先進的STI (Shallow Trench Isolation)的方法來做隔絕。 STI的作法，會在substrate上挖出一個溝槽，再填入二氧化矽當絕緣層。

2024年9月19日 · STI 技术在芯片制造中逐渐取代了 LOCOS（局部氧化硅）隔离技术，因为它在高密度集成电路中表现出更好的性能，并能够有效解决 LOCOS 中的鸟嘴效应等问题。

2020年9月8日 · 会生长场氧，在隔离区腐蚀出一定深度的沟槽，再进行侧墙氧化，用CVD法在沟槽中淀积SiO2当绝缘层，最后通过CMP法平坦化，形成沟槽隔离区和有源区。 高压管子不太清楚，好像要在顶层加个高压层次吧。 才学习版图，想问问大家一个问题，一般来说STI和场氧都是隔离管子的有源区，防止寄生的沟道；比如说工艺用了STI之后，还会生长场氧吗？ 如果还会生长场氧，那么作用是什么， ... STI和OD2 ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

2010年11月28日 · STI通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。 下面详细介绍一下浅槽隔离的步骤，主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。 槽刻蚀 隔离氧化层。

XOD模式 (X-Oriented Development)：是公共交通导向的城市空间开发模式（Transit-Oriented Development，简称 TOD）、生态环境导向的开发模式（Eco-environment Oriented Development，简称 EOD）、水安全保障导向的开发模式（Water-security-guarantee Oriented Development，简称 WOD）、医疗设施导向的开发模式（Hospital Oriented Development，简称 HOD）、资源导向型开发模式（Resource-Oriented Development，简称 ROD）、公共服务 …

浅槽隔离，即 shallow trench isolation，简称STI。 通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。