SiC MOSFETs - STMicroelectronics
Bring the advantages of innovative wide bandgap materials (WBG) to your next design thanks to SiC MOSFETs. With an extended voltage range, from 650 to 2200 V, ST's silicon-carbide MOSFETs offer one of the most advanced technology platforms featuring excellent switching performance combined with very low on-state resistance per area.
Silicon carbide (SiC) - STMicroelectronics
ST manufactures its SiC products to the highest standards to ensure reliable performance and efficiency gains for electric vehicle (EV) applications, solar inverters, energy storage, industrial motor drives, and power supplies.
碳化硅（SiC）器件 - 意法半导体STMicroelectronics
意法半导体的碳化硅 (sic) 器件产品组合包括stpower sic mosfet和stpower sic二极管。 前者电压范围为650至2200 V，具有业内领先的200 °C额定结温，可实现更为高效、简洁的设计；后者电压范围为600至1200 V，其开关损耗可忽略不计，前向电压 (V F ) 比标准硅二极管低15%。
SiC MOSFETs - Silicon Carbide Devices - 意法半导 …
使用stpower sic mosfet创建比以往更高效、更紧凑的系统 借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。 意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。
碳化硅 - 意法半导体STMicroelectronics
ST最近宣布将在意大利卡塔尼亚打造一座集 8英寸碳化硅 (SiC) 功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。 通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法半导体将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的愿景。 意法半导体从事SiC研发已经超过25年，并开发了市场领先的SiC解决方案，具有完整的供应链控制。 与传统硅器件相比，基于碳化硅的功率器件具有多种关键优点。 其更高的电压和频率性能实现了更高 …
STMicroelectronics unveils new generation of silicon carbide …
2024年9月24日 · STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications, is introducing its fourth generation STPOWER silicon carbide (SiC) MOSFET technology. The Generation 4 technology brings new benchmarks in power efficiency, power density and robustness.
ST｜官宣！推出第四代STPOWER碳化硅 (SiC)MOSFET技术
2024年9月25日 · 今天，st正式宣布公司推出其第四代 stpower 碳化硅 (sic) mosfet 技术。 第四代技术在功率效率、功率密度和稳定性方面树立了新的标杆。 在满足汽车和工业市场需求的同时，新技术还特别针对牵
意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来 …
2021年12月9日 · 意法半导体最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用; 持续长期投资 SiC市场，意法半导体迎接未来增长
STMicroelectronics Introduced Generation 4 STPOWER SiC …
2024年9月24日 · ST’s Generation 4 SiC MOSFETs provide higher efficiency, smaller components, reduced weight, and extended driving range compared to silicon-based solutions. These benefits are critical for achieving widespread adoption of EVs and leading EV manufacturers are engaged with ST to introduce the Generation 4 SiC …
SiC MOSFETs - Silicon Carbide Devices - STMicroelectronics
Bring the advantages of innovative wide bandgap materials (WBG) to your next design thanks to SiC MOSFETs. With an extended voltage range, from 650 to 2200 V, ST's silicon carbide MOSFETs offer one of the most advanced technology platforms featuring excellent switching performance combined with very low on-state resistance per area.