
In situ Scanning Electron Microscopy of Silicon Anode ... - Nature
2016年10月26日 · Here, we demonstrate the in situ scanning electron microscopy (in situ SEM) of Si anodes in a configuration analogous to actual lithium-ion batteries (LIBs) with an ionic liquid (IL) that is...
Imaging of Si nano-patterns embedded in SiO2 using
2000年6月1日 · Detailed shapes of embedded Si nanostructures were clearly observed through a SiO 2 layer using scanning electron microscopy (SEM). We found a new imaging mechanism by which secondary electron (SE) yield from the oxide surface is …
扫描电镜&能谱(SEM&EDS)分析 - 知乎
现对微观位置或微观形貌的观察常用扫描电子显微镜(扫面电镜SEM):种介于透射电子显微镜和光学显微镜之间的一种观察手段。其利用聚焦的很窄的高能电子束来扫描样品, 通过光束与物质间的相互作用, 来激发各种物理信息, 对这些信息收集、放大、再成像以 ...
EDS/EDX能谱常见问题总结 - 知乎
SEM的样品比较容易制备,而且跟厚度关系不大,一般电子束深入样品的高度为几个微米,定量时可以放相应样品的标样 (比如纯Si就用纯Si标样,MgO就用MgO标样,有很多国家级标样供选择)来做校正。
SEM扫描电镜能谱(EDS)分析中必须要明白的几个重要问题
SEM的样品比较容易制备,一般电子束深入样品的高度为几个微米,定量时可以放相应样品的标样(比如纯Si就用纯Si标样,MgO就用MgO标样,有很多国家级标样供选择)来做校正。
【SEM-FIB专题】:双束系统与SE/SI成像 - 知乎
2023年4月12日 · SEM-FIB提供的结果是一套更完整的数据。 同时,使用 双束系统可以简化样品的三维结构和化学成分的重建,以补充二维SEM和FIB图像以及二次离子质谱SIMS的化学分析图,这些都是利用离子束的研磨功能达到的。
TEM and SEM study of nano SiO2 particles exposed to influence of ...
2016年7月1日 · From SEM analyses of nano SiO 2 samples, it has been revealed that nanoparticles does not “adhesion” macro or micro dimensions before and after neutron irradiation. In order to determine the “adhesion” and crystalline structure of nanomaterial at low nano sizes, the samples have been analyzed on TEM device and SAED technology.
【SEM-FIB专题】:双束系统与SE/SI成像_样品_电子束_离子
2023年4月12日 · SEM和FIB都是通过收集离子束和表面原子之间相互作用而发出的二次电子(SE)来形成高分辨率的图像,也可以接收 背散射电子(BSE)或二次离子(SI)形成图像。
High-resolution TEM/STEM analysis of SiO2/Si (100) and La2O3/Si …
2006年1月30日 · Abstract: We have performed direct observations and elemental analyses of SiO 2 /Si (100) and La 2 O 3 /Si (100) by spherical aberration-corrected transmission electron microscopy (TEM) / scanning TEM (STEM) and “combinatorial analyses” by energy dispersive X-ray analysis (EDX) and electron energy loss spectroscopy (EELS).
Quantitative analysis of the structural evolution in Si anode via …
2023年2月26日 · Three key components (Si particles, inactive components, and voids) in the electrode are quantitatively analyzed by the focused ion beam and scanning electron microscope (FIB-SEM) technology. Furthermore, the average sizes of Si …