原子层沉积镀膜SiN--使用 SiI4 和 NH3 进行 SiN 的选择性 ALD：温 …
2024年8月13日 · sii4（前体温度：100°c）和 nh3 用于在两个沉积温度（200 和 350°c）下沉积 sin 膜。 测试了四种类型的起始表面：（1）天然 SiO2，（2）ALD Al2O3，（3）ALD ZrO2， …
Selective ALD of SiN using SiI4 and NH3: The effect of …
2020年11月4日 · The initial growth of silicon nitride (SiN) thin films was studied during thermal atomic layer deposition (ALD) using silicon tetraiodide (SiI 4) and ammonia (NH 3) onto …
X‐ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra of synthesized SiI4…
a) The XPS spectra for the broad range of 0–1000 eV binding energy show peaks according to the Si, C, O, and I elements, and the XPS spectra are identical to the commercially available …
XPS spectra of the SiN thin films: (a) Si 2p peaks, and (b) N 1s peaks.
Silicon nitride thin films were deposited by the atomic layer deposition (ALD) technique in a batch-type reactor by alternating exposures of a Si precursor and NH3. SiCl4 and SiH2Cl2 were …
表面分析方法：EDX、AES、XPS、TOF-SIMS - 知乎 - 知乎专栏
2023年8月8日 · 3、XPS，X-ray Photoelectron Spectroscopy ， X射线光电子能谱. 原理：利用X射线辐射样品，样品被激发释放出光电子，对最表面的光电子的能量进行测量，便可以获得样品 …
斯坦福大学鲍哲南：电池研究中锂盐在XPS分析中的降解和形态分 …
2024年1月25日 · x射线光电子能谱 (xps)是电池研究中表征 固体电解质界面 (sei)最常用的技术之一。然而，残留的盐或溶剂会产生光谱假象，使实际 sei化学 的评估复杂化。 成果简介：
科学指南针测试干货系列-XPS数据处理简易指南 - 知乎
在 x 射线光电子能谱 (xps)测试后，许多科研工作者对于如何处理和分析所得数据感到困惑。为此，科学指南针团队特别整理了xps测试后数据处理的相关教程，帮助科研圈的伙伴们更好地理 …
SnI4和臭氧原子层沉积（ALD）生长的氧化锡薄膜的性质研究_半导 …
2023年11月13日 · XPS采用SPECS Phoibos150半球形光电子动能分析仪，总光谱分辨率为0.3 eV。 通过测量样品光电流并将信号归一化为参考光电流信号，XAS在0.1 eV的光谱分辨率下 …
无定型Si_C_O_N涂层的XPS分析 - 豆丁网
2014年9月16日 · 功率下N-Si键的增加和更多N-C键的结合。 改善，有望在可见光波段获得应用。 本文采用XPS技术， 结合状态的分析，为后续的研究工作奠定基础。 JG-PF-3B射频磁控溅射 …
Si_Si直接键合界面的FTIR和XPS研究 - 豆丁网
2016年2月6日 · X射线光电子谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为单质Si和SiOx混合网络,且随着退火温度的升高,界面层Si-Si直接成键的密度也越高。 关键词: 硅;直接键合;红外透射谱;X射 …