Abstract: 100% Ge pin-photodetectors grown on SiGe strain relaxed buffer (SRB) layers are presented, For integrated detectors the SRB layer growth as well as the subsequent SiGe …

2024年4月25日 · 硅基锗（SiGe）PIN光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。 它主要由硅基锗材料构成，这种材料可在现有的半导体工艺中方便地制备。

2004年3月15日 · SiGe PIN photodiodes monolithically integrated on silicon substrates are promising candidates for low cost photodetectors for optical fiber communications at 1300 and …

This study discusses the development status of high-performance SiGe electro-optic modulator, mainly analyzes the research progress of silicon based photonic modulator at home and …

2022年5月23日 · The RTPSs use SiGe PIN diodes for their resonant loads due to their naturally high-Q and tuning range. The phase shifter is implemented in a 90-nm SiGe BiCMOS …

1981年1月1日 · a-SiGe:H 薄膜沉积的合适条件与 SiH4 和 GeH4 气体的聚合和分解行为有关，在 (GeHm+)2 分解之前，在相对较低的射频功率条件下获得高质量的薄膜。

2021年4月16日 · 再而学习TCAD仿真软件的应用，并利用半导体仿真软件TCAD进行SiGe／Ge／SiGe pin发光二极管设计与模拟。 时间慢慢的流逝，毕业设计接近尾声，也意味着 …

2007年4月30日 · A novel octagonal SiGe p-type intrinsic n-type (PIN) diode single pole single throw (SPST) switch is first implemented in a standard 0.18-mum SiGe BiCMOS technology.

移相器在90 nm SiGe BiCMOS技术平台上实现，在360°相移范围内，频率高达145 GHz时，插入损耗小于5.5 dB。 通过使用双电压控制，通过选择适当的点，插入损耗变化保持在±0.9 dB以 …

第二章介绍pin发光二极管基础，包括了电致发光过程，发光器件的结构以及本文所要研究的SiGe材料的优势和它的结构等性质。