Epitaxial SiGe and SiC(P) are used for the stressor materials in pMOSFET and nMOSFET respectively. In this paper, we summarized the process evolutions in the field of source/drain …

应变硅技术 是指通过应变材料产生应力，并把应力引向器件的沟道，改变沟道中硅材料的导带或者价带的能带结构，可以通过合理的器件设计来获得合适的应力方向从而减小能带谷内、谷间散 …

SiGe广泛应用于90nm及以下的应力工程，利用锗硅晶格常数的不同产生的压应力，嵌入源漏区，提高了PMOS空穴的迁移率和饱和电流。 硅的晶格常数是5.43095A，锗的晶格常 …

2022年5月9日 · 应变硅技术是指通过应变材料产生应力，并把应力引向器件的沟道，改变沟道中硅材料的导带或者价带的能带结构，可以通过合理的器件设计来获得合适的应力方向从而减小能 …

然后说一下SiGe工艺的概念：SiGe工艺（应变硅），是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的Ge形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管特性的一种硅基 …

2023年12月20日 · SiGe是一种半导体合金材料，由硅(Si)和(Ge)元素构成，其具有优异的电学、光学和热学性能。同时，SiGe材料的禁带宽度随着含锗量的增加而缩小，因此具有比单晶硅更 …

外延（Epitaxy，简称Epi）是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶格排列的单晶材料的过程。这种生长方式可以形成同质外延层，如Si/Si，或者异质外延层，如SiGe/Si或SiC/Si。

Abstract—Biaxial tensile strained Si grown on SiGe virtual substrates will be incorporated into future generations of CMOS technology due to the lack of performance increase with scaling. …

2025年1月8日 · alias: 锗化硅,SiGe. 在SiGe 材料中随着Ge成分的增加，其禁带宽度从硅的1.17电子伏递减到锗的0.67电子伏，能带宽度的变化降低了材料的电阻率。用SiGe 材料制成的晶体 …

2024年12月20日 · 本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。 在现代半导体技术中，随着器件尺寸的不断缩小，传统的硅基材料逐渐难以满足高性能和低功 …