SiPM （硅光电倍增器）、 APD （雪崩光电二极管）和 SPAD （单光子雪崩二极管）是目前广泛用于车载传感器中的三种主要光电探测技术，它们在性能、成本、复杂度以及适用场景上各有特点。 虽然这三种探测器都采用雪崩效应来增强光信号，但它们在结构、工作原理和灵敏度等方面存在显著差异。 SiPM作为一种阵列化的单光子雪崩二极管技术，提供了较高的光子探测效率和低噪声特性，尤其适合低光环境下的高灵敏度探测。 与其相比，APD作为单一光电二极管，适用于 …

雪崩光电二极管(apd)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。 在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用 电离碰撞 （ 雪崩击穿 ）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。

apd是在pin光电二极管中添加内部电流增益区域，通过其内部的雪崩倍增效应从而实现光生电流的放大 。 由于具备 内部增益（10～100），相比于PIN，APD更适合探测微弱的信号。

过剩噪声指数用于近似计算apd的散粒噪声，进一步可以计算apd的信噪比，等效噪声功率等。 只要反向电压恒定，apd增益就是每个载流子倍增的平均数。但是电离率不均匀，存在统计浮动，由此在倍增过程中会引入倍增噪声，即过剩噪声。

雪崩光電二極體(apd)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。 在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料中一般為100-200 V），利用 電離碰撞 （ 雪崩擊穿 ）效應，可在APD中獲得一個大約100的內部電流增益。

2024年12月7日 · 本文针对基于apd的光电探测器电路进行了深入研究和设计，着重探讨了电路设计的关键技术要点及其性能分析。 apd是一种利用雪崩倍增效应进行光电转换的二极管，它的光电转换效能主要体现在对于输入信号的倍增作用上。

目前根据激光雷达在不同系统应用场景下主要使用APD、PIN光电二极管、单光子雪崩二极管（SPAD）、硅光电倍增管（SiPM）做为探测器。 下面将讲述APD的使用。 一、APD的结构. APD的基本结构是PN结，常见的为N+PΠP+（拉通型）结构，如下图所示，PN+结的耗尽区承受了反向偏压的大部分压降，耗尽区向P区扩散。 Π区为接近本征态的低参杂区，电场较低，但足以是载流子保持一定的飘移速率。 当偏压加到一定程度后，耗尽层将被拉通到Π型区，一直抵 …

2020年10月14日 · linear推出固定频率、电流模式升压型dc/dc转换器lt3482，该器件具有内置倍压器，用于偏置光接收器中的雪崩光电二极管（apd）。lt3482可以用2.5v至16v的输入提供高达90v的输出。该器件具有高压侧apd电流监视功能，在-40oc至85oc的温度范围内实现优于10%的相 …

雪崩光电二极管（APD）是现代光探测系统中的关键组件，具有高灵敏度和快速响应时间。本文将探讨APD的工作原理、优势及其在光信号处理中的应用。并且以 pSim Plus 仿真工具进行系统级仿真验证APD在系统中的具体贡献[1]。

吸收层-倍增层分离结构（scam ）apd 器件最困难的 问题就是对电荷控制层杂质浓度的精确控制：浓度 的过大变化会劣化apd 性能，甚至导致apd 器件不 工作[9]。 inp 材料基apd 使用气源掺杂技术，精确控 制电荷控制层的杂质浓度比较困难，而对于ge/si 材