2021年7月1日 · We devised a synthetic route to enable in situ reaction between metallic Sn and I 2 in dimethyl sulfoxide (DMSO), a reaction that generates a highly coordinated SnI 2 · (DMSO) x adduct that is well-dispersed in the precursor solution.

2024年11月15日 · The corresponding steady-state photoluminescence (PL) spectra of CsSnI 3 NCs in suspension and thin films are shown in Figure S2. The PL peak at 720 nm quenches completely upon air exposure in 60 min for the NC solution and in 20 min for the NC thin films.

2024年12月4日 · 文章中提出了一个基本原理，即配体与Sn2+之间的合适结合能量范围（1.38到-10.10 kcal mol-1）显著增强了两步结晶控制的有效性。 这项研究为无铅钙钛矿太阳能电池的潜在规模化发展奠定了基础。 实验结果表明，使用DTT处理的TPVSCs在0.04 cm²器件上展现了12.68%的最高效率，在1 cm²器件上展现了11.30%的效率，这在两步连续沉积方法中是锡基钙钛矿器件中最高的，即使在没有二甲基亚砜（DMSO）的情况下。 目标器件在氮气氛围中储 …

2024年11月17日 · 混合锡铅（Sn-Pb）钙钛矿在全钙钛矿串联电池中起着至关重要的作用，但锡2+的易氧化性和基于锡的钙钛矿的快速结晶给制备高质量的混合Sn-Pb钙钛矿薄膜带来了重大挑战，从而限制了器件的性能和稳定性。 香港城市大学Alex K.-Y. Jen教授&南方科技大学徐保民教授提出了一种名为2-氨基-3-巯基丙酸盐酸盐（AMPH）的全能添加剂，它可以作为还原剂在薄膜制备过程中抑制Sn4+的形成。 此外，AMPH与Sn基前体的强结合显著减缓了结晶过程，从而得到了 …

2024年8月13日 · 这项工作揭示了Sn (II)的立体化学活性孤对电子是导致Sn快速结晶的根源，这种孤对电子排斥了路易斯碱配体与钙钛矿前驱体中的金属离子的配位。 通过这种处理，研究团队制造了单结Sn-Pb钙钛矿太阳能电池，实现了24.13%的认证功率转换效率。 封装的设备在模拟单日光照下最大功率点运行795小时后，仍保持了90%的初始效率。 图 1. BX2与配体相互作用的DFT分析。 a) BX2（SnI2和PbI2）与AX碘化物和溶剂分子的结合能。 b) 金属离子-DMSO复合物的前沿轨 …

x射线光电子能谱（XPS）检测了TLP纳米晶体中二价Pb和Sn的存在，Sn:Pb原子比计算为2.10:2.21，标记为FAPb0.5Sn0.5I3，尽管SnI2:PbI2的输入比为9:1。 Sn:Pb比的巨大对比表明，晶体中形成的实际Sn:Pb比率与前体溶液中的输入比率不同。

2023年6月21日 · 在这里，王建浦团队通过在膜形成过程中进行原位光致发光（PL）测量，揭示了Sn基钙钛矿中的主要缺陷在初始生长过程中团簇的快速聚集过程中形成（ 从旋涂过程~15 s开始的），并且~80%的发光强度在6 s。作者进一步发现，在前体溶液中与碘化锡（II）形成强化学 ...

2017年10月20日 · We show that the solid SnI2 substrate temp. is the key parameter in achieving perovskite films with high surface coverage and excellent uniformity. The resulting high-quality CH3NH3SnI3 films allow the successful fabrication of solar cells with drastically improved reproducibility, reaching an efficiency of 1.86%.

2022年7月29日 · 同时由于价带顶的能谷双简并，p性SnI2表现出更为优越的热电性能，且p性掺杂的SnI2的热电优值远大于1，所以，SnI2是热电应用的新型候选材料。 原文出自 Materials 期刊

2020年11月6日 · (a) pea2sni4薄膜的吸收和pl光谱（插图显示了在紫外线激发下的发光图像）。 (B)时间分辨的PL和有无VA制备的PEA2SnI4膜的对应拟合。 不加(C)和加(D)VA制备的PEA2SnI4薄膜的fs-TA光谱的二维伪彩色图表示为 ∆OD（在650nm激发后样品的吸收强度的变化）作为两个延迟时间和 ...