In semiconductor manufacturing, silicon on insulator (SOI) technology is fabrication of silicon semiconductor devices in a layered silicon–insulator–silicon substrate, to reduce parasitic …

为避免闩锁效应，早期采用 SOS (Silicon On Sapphire) 技术制作CMOS电路，即在蓝宝石绝缘衬底上外延硅，之后制作器件，这就有效的避免MOS管的源、漏区和衬底之间形成PN结。 但是， …

2019年10月29日 · 而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。

2018年11月23日 · FD SOI器件具有极薄的硅体结构，工作时硅体为全耗尽，因此FD SOI又称超薄体SOI。 当薄硅体厚度为50nm至90nm时称作PD SOI，厚度为5nm至20nm时称作FD SOI。

2020年3月23日 · SOI（绝缘体上硅）技术， 传统MOS结构和SOI MOS结构的主要区别在于：SOI器件具有掩埋氧化层，其将基体与衬底隔离。 SOI－ MOS的制造工艺与起始硅晶片之 …

SOI工艺通过使用高电阻率绝缘衬底的堆叠 FET 处理高功率输出时的高电压摆幅，减少射 频信号的衬底耦合。 随着 HR SOI 技术的 发展，SOI 晶圆成本的不断降低。

2024年1月28日 · 本文介绍了SOI材料的MOSFET中，体区与衬底的连接方式，以及如何通过设计避免浮体效应。 着重讨论了背栅在薄膜SOIMOSFET中的作用，包括对器件性能的影响和优化 …

2021年3月21日 · SOI，全名為 Silicon on Insulator，Insulator 意思是絕緣體，也就是不導電的物質。 就如同字面上的意思，SOI 的結構總共有三層，從上到下分別為矽、氧化矽、矽，中間的 …

2020年7月23日 · 10月13日，来自全球代工企业、半导体材料企业以及IC设计企业的高管聚集上海，参加国际SOI产业联盟（SOI Industry Consortium）、中国科学院上海微系统与信息技术研 …

2010年6月3日 · This paper presents the modeling of an SOI FET for RF switch applications. Given that the HF small-signal predictability, i.e. the insertion loss and the isolat

2012年2月3日 · In this paper, we model the electrical properties of a junctionless (JL) ultrathin-body silicon-on-insulator field-effect transistor (SOI-FET), which has been p

FD-SOI消除了闩锁效应 (Latch up 是指CMOS晶片中, 在电源power VDD和地线GND (VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之 …

2016年9月17日 · The silicon-on-insulator (SOI)-MOSFET is a structural innovation, which brings the channel under stringent control of the gate. The novelty in the structure is the use of a …

The Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) is the most widely used SOI device. The present chapter is devoted to single-gate SOI MOSFETs. Other types of SOI …

2022年6月29日 · 本文介绍了半导体工艺制程中FinFET和FD-SOI技术如何通过减小沟道厚度来提升晶体管性能。 FinFET采用三维结构增强栅极控制，而FD-SOI则依赖于超薄绝缘层来抑制短沟 …

The partially depleted (PD) n‐channel silicon‐on‐insulator metal oxide semiconductor field‐effect transistor (SOI MOSFET) has a quasineutral region in the silicon‐on‐insulator (SOI) layer.

5 天之前 · We validated the performance improvement through capacitance enhancement in a planar MPB-FET fabricated on a simplified platform before implementing the optimized mixed …

16 小时之前 · maltraitance - Dans le Doubs, deux chevaux morts de faim et de soif ont été découverts dans une grange appartenant à une sexagénaire

全耗尽型绝缘体上硅 （FD-SOI）是一种平面工艺技术，依赖于两项主要技术创新。 首先，在衬底上面制作一个超薄的绝缘层，又称 埋氧层。 用一个非常薄的硅膜制作晶体管沟道。 因为沟道 …

1 天前 · « Un état de maigreur extrême » : deux chevaux morts de faim et de soif retrouvés par la SPA dans le Doubs Selon les premières constatations vétérinaires, les deux chevaux étaient …