2024年9月19日 · 1. LOCOS介绍. 1.1 LOCOS全称（Local Oxidation of Silicon，局部氧化硅）；是一种早期使用的隔离技术，它通过在硅衬底表面局部氧化，生成厚的二氧化硅层来隔离器件。此技术的优点是相对简单，但缺点是会产生“鸟嘴效应”（鸟嘴状的氧化硅侵入有源区）和Kooi效应 ...

LOCOS（Local Oxidation of Silicon）酸化膜にて完全 に分離されており，動作素子領域（SOI層と呼ぶ）を絶縁 体にて完全分離する構造を持っている。またSOI層の厚み が薄く（通常<50nm），チャネル下のボディ領域がすべ て空乏化しているものを完全空乏型SOI，SOI層が ...

硅局部氧化隔离（Local Oxidation of Silicon）技术，是由Appels和Kooi于1970年提出的一种CMOS硅工艺中常用的器件隔离技术。 - CMOS工艺 最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。 -常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应”bird beak）和场 …

为避免闩锁效应，早期采用 SOS (Silicon On Sapphire) 技术制作CMOS电路，即在蓝宝石绝缘衬底上外延硅，之后制作器件，这就有效的避免MOS管的源、漏区和衬底之间形成PN结。 但是，蓝宝石价格昂贵，无法普及；蓝宝石和硅晶格不匹配，影响外延硅的质量。 故研究采用 SiO2 代替的蓝宝石的可能性势在必行，即SOI (Silicon On Insulator)。 20世纪80年代中期，注氧隔离和硅片键合等技术逐渐成熟，促使大面积的SOI硅片商用成为现实。 20世纪90年代后，薄膜全耗尽 (Full …

硅局部氧化隔离（Local Oxidation of Silicon）技术，是20世纪70年代提出的一种CMOS硅工艺中常用的器件隔离技术。 CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。 常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应 bird beak”)和场注入的横向扩散， …

LOCOS隔离工艺 是指以 氮化硅 为遮蔽层实现硅的选择性氧化，在器件有源区之间嵌入很厚的氧化物，从而形成器件之间的隔离，这层厚厚的氧化物称为 场氧。 利用LOCOS隔离工艺可以改善寄生场效应晶体管和闩锁效应。 由于LOCOS隔离工艺存在 鸟嘴效应 （氮化硅掩膜下的氧化物生长抬高氮化硅的边缘）和 白带效应 （高温下氨气与硅衬底反应生成的Si3N4），所以LOCOS隔离工艺在深亚微米工艺技术的应用受到很大限制。 1）清洗。 将晶圆放入清洗槽中清洗，得到清洁的硅 …

2020年2月20日 · 后来很多前辈做了无数的study来尝试降低鸟嘴长度，比较经典的做法有Poly buffered LOCOS和Recess LOCOS。 1) Poly-Buffered LOCOS: 就是在PAD SiN与OX之间增加一层薄薄的Poly来进一步缓冲应力，减小氧气或水汽的横向扩散。

The LOCOS technique for formation of SOI optical waveguides has been extended to produce low-loss photonic wire channel waveguides with deep submicron dimensions using a very simple process.

2007年4月1日 · It has been shown that, especially for advanced CMOS devices on thin film SOI, effects due to process-induced stress, such as LOCOS [1] or shallow trench isolation [2], [3], may impact the electrical characteristics, changing the channel mobility, more severely when reducing the Si thickness.

5 天之前 · STI（Shallow Trench Isolation，浅槽隔离）和LOCOS（Local Oxidation of Silicon，局部氧化硅）是集成电路制造中两种常见的器件隔离技术。 它们在工艺步骤、性能特点和应用场景上存在显著差异，以下是两者的对比分析：