
DDR4总结纯干货分享_sstl pod-CSDN博客
2024年4月18日 · DDR4 SDRAM (Double Data Rate Fourth SDRAM):DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽,DDR4的传输速率目前可达2133~3200MT/s。 DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计,各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性,Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象,亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内,至多可以处理4 笔数据,效率明显好过于DDR3。
差分逻辑电平——SSTL、HSTL、HSUL结构 - CSDN博客
2024年4月11日 · 本文详细介绍了SSTL、HSTL和HSUL三种高速存储器接口逻辑电平标准,包括它们在DDR系列中的应用、电平标准、电路结构、功耗优化和数据处理策略。 重点讨论了SSTL的差分输入和输出、HSTL的电平分析以及HSUL的低功耗特点。 属于DDR存储器接口逻辑电平,虽然是单端,本质上是差分对,因实现机制是将信号与参考电平Vref组成差分对进行比较。 SSTL:Stub Series Termination Logic,短截线串联端接逻辑。 我们所熟知的DDR 采用的就是 …
DDR3 SSTL电平与DDR4 POD电平对比介绍 - CSDN博客
2024年9月10日 · DDR4引入了一种新的驱动标准——POD(Pseudo Open Drain),它与DDR3使用的SSTL(Stub Series Terminated Logic)在接收端的终端电压上有显著差异。 - **POD接收端电压**:POD的接收端电压等于VDDQ,而SSTL的接收端...
DDR4介绍01 - 知乎 - 知乎专栏
DDR3接口标准, 短截线 串联端接逻辑 (Stub Series Termination Logic,SSTL)和DDR4接口标准,“ 伪开漏 ” (PseudoOpen Drain,POD)进行了详细研究和异同比较。 POD 作为 DDR4 新的驱动标准,最大的区别在于接收端的终端电压等于VDDQ;而 DDR3 所采用的 SSTL 接收端的终端电压为 VDDQ/2。 伪开漏(POD)I/O缓冲.
DDR 学习时间 (Part A - 6):DDR4 板级设计和信号完整性验证面临 …
2024年10月14日 · POD 相比 SSTL 的优势. DRAM 行业面临的主要市场发展需求之一是对内存设备功耗降低的需求。为此,DDR4 采用了一种新的驱动标准,称为伪开漏(pseudo open drain),或简称 POD。在 POD 中,接收器将信号终结(terminated)到 VDD 的高电平,而不是终结到一半的 VDD 电压。
差分逻辑电平 --- SSTL、HSTL、HSUL结构 - 技术栈
2024年3月21日 · SSTL电平的Vref是固定值0.5倍的VDD,终端采用标准的戴维南端接;而POD电平的Vref是芯片内部确定,外部的端接只用一个上拉电阻。 首先,我们先看Vref。 理想的Vref位置应该位于数据眼图的中央,即Vref = Vmid = 0.5*(Vhigh + Vlow)。
DDR基础知识总结 - 知乎 - 知乎专栏
DDR是 DDR SDRAM 的简称,只是人们习惯了称之为DDR,全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名为:双倍速率同步动态随机存储器,同步是指需要时钟。 DDRx发展很快,虽然DDR5的正式规范尚未公布,但是前段时间发布的小米10全系列手机已经搭载了镁光的 LPDDR5。 本人在实际工作中用的最多的内存颗粒还是DDR3和LPDDR3,闪存颗粒则是NAND和 EMMC,其他的DDR也只是作为了解居多。 DDRx颗粒的 …
Figure 1: Termination of DDR4 (POD) and DDR3 (SSTL). Introduction One of the major market forces acting on the DRAM industry is the demand for lower power consumption of the memory devices. To this end, DDR4 uses a new drive standard, known as pseudo open drain, or POD. In POD, the receiver terminates the signal to a high level,
DDR4总结最全纯干货分享 - 启芯硬件 - 博客园
2024年3月23日 · DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth SDRAM):DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽,DDR4的传输速率目前可达2133~3200MT/s。 DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计,各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性,Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象,亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内,至多可以处理4 笔数据,效率明显好过于DDR3。
7.4. DDR4 Board Design Guidelines - Intel
DDR4 SDRAM interface signals use one of the following JEDEC* I/O signaling standards: SSTL-12—for address and command pins. POD-12—for DQ, DQS, and DBIn. You do not have to assign the I/O standard to each pin, as that is done automatically by the IP during generation. Termination Schemes