差分逻辑电平——SSTL、HSTL、HSUL结构 - CSDN博客
2024年4月11日 · 本文详细介绍了sstl、hstl和hsul三种高速存储器接口逻辑电平标准，包括它们在ddr系列中的应用、电平标准、电路结构、功耗优化和数据处理策略。 重点讨论了SSTL的差 …
常见单端逻辑电平（TTL、CMOS、SSTL、HSTL、POD12） - 皮皮 …
2022年4月13日 · pod和sstl的最大区别在于接收端的终端电压（pod为vddq，sstl为vddq/2）。 POD可以降低寄生引脚电容和I/O终端功耗，并且即使在VDD电压降低的情况下也能稳定工作。
DDR3 SSTL电平与DDR4 POD电平对比介绍 - CSDN博客
2024年9月10日 · POD和上一代DDR3电平接口标准SSTL的最大区别在于接收端的终端电压：POD为VDDIO，如下图左所示；SSTL为VDDIO/2，如下图右所示。 POD可以降低寄生引 …
DDR4总结纯干货分享_sstl pod-CSDN博客
2024年4月18日 · pod 和sstl的比较. pod作为ddr4新的驱动标准，最大的区别在于接收端的终端电压等于vddq，而ddr3所采用的sstl接收端的终端电压为vddq/2。这样做可以降低寄生引脚电容 …
DDR4介绍01 - 知乎 - 知乎专栏
DDR3接口标准, 短截线 串联端接逻辑(Stub Series Termination Logic,SSTL)和DDR4接口标准,“ 伪开漏 ”(PseudoOpen Drain,POD)进行了详细研究和异同比较。 POD 作为 DDR4 新的驱动标 …
DDR基础知识总结 - 知乎 - 知乎专栏
POD是伪漏极开路电平，其内部端接上拉到VDDQ，而SSTL内部是上拉到VDDQ/2，分别如图3和图4所示。 因此，当驱动端输出高电平时，由于驱动端和接收端端接电压均为VDDQ，因此没 …
差分逻辑电平 --- SSTL、HSTL、HSUL结构 - 技术栈
SSTL电平的Vref是固定值0.5倍的VDD，终端采用标准的戴维南端接；而POD电平的Vref是芯片内部确定，外部的端接只用一个上拉电阻。 首先，我们先看Vref。 理想的Vref位置应该位于数 …
2.5.2.1. Differential HSTL、SSTL、HSUL和POD匹配 - 英特尔
Differential HSTL、SSTL、HSUL和POD输入使用LVDS差分输入缓冲。但仅当I/O标准为LVDS时R D 支持才可用。 Differential HSTL、SSTL、HSUL和POD输入不是真差分输出。这些I/O标准使 …
介绍一些信号完整性常用存储接口的电平标准 - 存储技术 - 电子发 …
2023年6月14日 · 今天介绍一些常用的存储 接口 的电平标准，包含HSTL、SSTL和POD等等。 HSTL电平. HSTL（High – speed Transceiver Logic）、SSTL (Stub Series Te rminater …
DDR 学习时间 (Part B - 8)：DRAM DBI 特性 - 极术社区 - 连接开发 …
2024年10月9日 · DDR4 相较于 DDR3 的一项重要改进是将数据总线 IO 更新成伪开漏（POD, pseudo open drain）标准，取代了前代的 SSTL 标准。在伪开漏电路中，总线驱动高电平时并 …
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