BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) - STMicroelectronics
BCD: a key technology for power integrated circuits. ST invented the BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) technology - revolutionary at the time - in the mid-eighties and has continually developed it …
BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) - 意法半导体STMicroelectronics
SGS（现为“意法半导体”）开创了将双极、CMOS和DMOS（BCD）晶体管结合在单个芯片中的超级集成硅栅工艺，用于复杂、功率要求高的应用。 首个BCD超级集成电路“L6202”能够在300 …
The Evolution of STMicroelectronics BCD Technology
2019年1月22日 · TechInsights has been monitoring the evolution of STMicroelectronics Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) technology for more than fifteen years, beginning in the year 2000 when …
【零基础芯片入门课】Day 28 BCD工艺基础笔记 - 知乎
BCD工艺是指将Bipolar、CMOS和DMOS三种工艺整合在一起的系列工艺技术，也就是单片集成工艺技术。该技术最早由意法半导体（ST）在1986年研发出来。BCD工艺能够把双极Bipolar器 …
科普 | BCD工艺凭什么成为主流？ - 知乎专栏
2023年11月15日 · BCD工艺是1986年由ST首次推出的一种单晶片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，它的出现大大地减小了芯片的面积。
藏在ST最新BCD节点里的秘密工艺 - 电子工程专辑 EE Times ...
2018年6月28日 · bcd技术在单一芯片上整合了cmos逻辑、dmos、横向扩散mos晶体管(ldmos)和双极晶体管。dmos和ldmos晶体管通常用于制作高压或更高功率输出的驱动器晶体管，而双极晶 …
BCD工艺概述 - 知乎 - 知乎专栏
1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS器件，称为BCD工艺。 了解BCD工艺的特点，需要先了解双极 …
ST首创的BCD工艺，中国布局如何？ - 新浪财经网
2021年5月25日 · SGS (now STMicroelectronics) pioneered the super-integrated silicon-gate process combining Bipolar, CMOS, and DMOS (BCD) transistors in single chips for complex, …
当之无愧的殊荣，ST BCD技术何以赢得IEEE里程碑奖 - 21ic电子网
2021年8月19日 · 凭借硅栅多功率bcd，st采用自对准硅栅实现了符合摩尔定律的逻辑扩展。与传统方法相比，采用新发明的硅栅多功率bcd技术的首个dc和步进电机全桥驱动器l6202非常先进。 …
BCD Process Technologies - SpringerLink
2022年11月11日 · This chapter provides an overview of BCD (Bipolar CMOS DMOS) process technologies which are devoted to realize smart power ICs for different applications in the …