STT-MRAM - 知乎
2024年4月5日 · 在一个多层柱状结构中，在单位时间内垂直穿过单位面积的电子数量可以表示为（J是电流密度，e是单个电子的电量绝对值），因此，电流中总的角动量可以表示为。 当这 …
Single-interface MTJ Double-interface MTJ without SyF Calculation 0 0 10 20 30 40 50 Junction diameter (nm) 60 70 80 150
MRAM存储器技术 - 知乎
瑞萨电子最近增加了 MRAM 器件，该器件使用了一种基于垂直磁隧道结 (p-MTJ) 的专有 自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM)。 p-MTJ 包括固定且不可改变的磁层、电介质阻挡层和可改变的铁 …
Compact SPICE modeling of STT-MTJ device - IEEE Xplore
Spin-transfer torque magnetic tunnel junction (STT-MTJ) broadens the operation of electronic devices by using the electron spin along with its charge. In this work, the static behavior of the …
14nm High-Performance MTJ with Accelerated STT-Switching and …
We demonstrate a novel 14nm magnetic tunnel junction (MTJ) for achieving high-retention and high-speed writing simultaneously in 1Z (15-14) nm Spin-Transfer-Tor
STT-MRAM_百度百科
STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM 的二代产品。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层 …
C-SPIN: MTJ SPICE Model
An MTJ SPICE model allows circuit designers to simulate key aspects of spin-transfer torque MRAM (STT-MRAM) such as read and write delays. Our self-contained, physics-based …
SPICE Macromodel of Spin-Torque-Transfer-Operated Magnetic …
2010年5月18日 · The electrical behavior of a magnetic tunnel junction (MTJ) using spin-torque-transfer (STT) switching was modeled using a SPICE subcircuit. The subcircuit is a two …
群雄竞逐STT-MRAM - 知乎
使用0.046 um 2的单元面积（容纳不同CD 的MTJ）来生产22nm的32Mb嵌入式STT-MRAM，以满足不同的保留和性能要求。 该技术支持6倍的回流焊能力和-40C至150C的操作，数据保留时 …
Compact modeling of STT-MTJ devices - ScienceDirect
2014年12月1日 · Compact modeling of STT-MTJ is essential for integrated design, performance analysis and optimization. Unique from previous approaches on macro-modeling or direct …