feol、beol和mol——逻辑芯片的关键部分. 前沿逻辑芯片的制造可以细分为三个独立的部分：前道工序（feol）、中间工序（mol）和后道工序（beol）。 feol涵盖了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶体管。

2024年6月17日 · 半导体制程中芯片后道工艺（英文：Back-end of Line，简称：BEOL），是半导体制造过程中，从晶圆测试（CP测试）到形成最终电路功能并做完最终检查的关键工艺阶段。

2024年12月19日 · 在集成电路制造中，前道工艺（FEOL, Front End of Line） 和 后道工艺（BEOL, Back End of Line）是两个密切相关、但工艺内容和目标完全不同的阶段。 要理解它们的区别，可以将整个半导体制造过程比喻为建造一座智能大厦：前道工艺相当于“建设基础与结构框架”，而后道工艺则是“完成内部连线与功能集成”。 一、前道工艺（FEOL）的定义与内容 1. FEOL是什么？ 前道工艺是集成电路制造的第一个主要阶段，主要目标是 在半导体晶圆上完成各类器 …

10-nm 2nd-generation BEOL technology is described with an optimized illumination system and multi-patterning lithography. While the optimized illumination system offered a possibility to pattern reduced metal pitches in the preferred orientation, difficulties of T …

This Top-pSOT-MRAM device exhibits a high TMR exceeding 130% and excellent thermal stability during the BEOL process up to 400 o C. When assisted by STT, the field-free SOT switching achieves impressive speed, as fast as 10 ns, and demonstrates robust endurance exceeding 10 10 cycles.

2017年2月23日 · Modelling suggest thinning or scaling the DB to 5 nm NDC thickness provides 7% keff reduction, which is more than one generation of low k dielectric progress. Can DB/ESL continue to scale with all the DB/ESL requirements and increasing complex patterning? How far can Cu extend? And what replaces Cu? How to compensate?

2022年6月15日 · 电阻是造成BEOL环节RC延迟的主要原因，为了进一步发展铜互连技术，这一问题必须得到解决。 传统的方法是通过减小 TaN层 厚度或调节TaN电阻以减小通孔电阻，但这种方法在特征尺寸较小时会受到阻挡层性能要求的限制，强行进行调节会带来可靠性失效的其他副作用。 一种新的技术方案能够在减小通孔底端TaN层厚度的同时控制侧壁阻挡层的厚度，但在PVD/ALD TaN沉积工艺由于其非选择性的固有特性，无法达到同等效果。

2012年4月1日 · A trench first hard mask (TFHM) approach is used for patterning. Organic lead-free package assembly can induce high stresses on the BEOL, resulting in fracture of the ILD. The inter-metal dielectric deposition process was optimized for low k-value, high modulus and adhesion, and low process-induced damage. In addition to the mechanical ...

2018年8月9日 · This paper shows that an LCR-meter can be used to fully characterize the frequency-dependent behaviour of BEOL interconnects provided that the collected data is adequately interpreted. For this purpose, a physically-based model that allows representing the input features of a typical test structure for assessing the performance of this type of ...

This BEOL has hierarchical architecture with up to 10 wiring levels with 5 in PECVD SiCOH (k=3.0), and 3 in a newly-developed advanced PECVD ultralow-k (ULK) porous SiCOH (k=2.4).