2008年12月15日 · In this work, 4H-SiC epitaxial layers have been grown using trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor together with ethylene as the carbon precursor. TCS is the typical precursor used in silicon epitaxy for its safety (it is not pyrophoric at room temperature) and stability in industrial processes and should also allow one to avoid the ...

作为对CVD法的改进，TCS法采用三氯氢硅（TCS）代替硅烷作为前驱气体，可以同时实现 生长速率大幅提升和质量的有效控制，非常有利于碳化硅厚膜外延生长。 TCS技术 率先由 意大利LPE 公司在2014年实现商业化，2017年左右 美国Aixtron公司 对设备进行了升级改造，并将该技术移植到了商业化销售的设备中。 目前，碳化硅外延技术已与碳化硅外延设备高度融合，外延设备主要由 意大利LPE 公司、德国Aixtron公司、 日本TEL 和 Nuflare 公司所垄断。 3.2 外延层缺陷. 控制 …

普兴电子量产的 sic 外延片质量获得了下游头部器件厂商的高度认可,截至2023年q3,其6时n型sic外延出货量超10万片,其中20%的出货是用于生产汽车主驱sic mosfet。

2023年2月15日 · 快速 SiC 外延工艺是解决这一问题的关键,Leone 和 Henry 等 在工艺中加入 HCl 气体或采用含 Cl 化合物如 SiHCl3 (TCS)、SiCl4等,实现了高达 112 μm / h 的高质量快速外延,证明使用 HCl 或 Cl 基气源可以 有效抑制 Si 团簇的生成,提高 Si 源利用效率,同时可以更快更好地刻蚀单晶表面,形成清晰的表面生长台阶,加快生长速率 10 倍以上的同时提升成膜质量。 这是 SiC 行业的另一个重大突破,对大规模外延生产非 常有利,LPE、NuFlare 和 Aixtron 在 2014 年之后分别实 …

2024年11月1日 · In this paper, the CVD growth of 3C–SiC epitaxial layers on 4H–SiC substrates using TCS as silicon precursor has been demonstrated. The influence of important growth parameters, including temperature, C/Si ratio and Cl/Si ratio, on the morphology of the grown 3C–SiC layers is investigated in detail.

carbide (SiC) is a promising material in the fields of high tem-perature, high power and high frequency devices, due to the wide band gap, high critical breakdown field and high thermal conductivity. In particular, high power devices based on 4H-SiC are very attractive for the economization of energy in the domain of electric power.

2013年8月14日 · IntroductionAs a third-generation semiconductor material, siliconcarbide (SiC) is a promising material in the fields of high tem-perature, high power and high frequency devices, due to thewide band gap, high critical breakdown field and high thermalconductivity.

利用水平热壁CVD系统,分别采用三氯氢硅(TCS)和乙烯作为硅源和碳源,在10mm×10mm 的n型偏晶向4H-SiC衬底上进行了外延生长实验.在1600°C,TCS流量为12sccm,碳硅比为0.42的生长条件下得到了高质量的同质外延层,其10μm×10μm 区域内表面粗糙度为0.64nm,生长速率达23μm/h.同时在 ...

2006年10月15日 · 4H-SiC epitaxial layers have been grown using trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor source together with ethylene as the carbon precursor source. A higher C/Si ratio is necessary...

4H-SiC epitaxial layers have been grown using trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor source together with ethylene as the carbon precursor source. A higher C/Si ratio is necessary compared with the silane/ethylene system.