2017年10月1日 · This paper presents a demonstration of 3D RF front end filters using 3D solenoid inductors with through glass vias (TGV) and Cu-SiN-Cu MIM structure on Gen1 glass substrate (300mm × 400mm) panel format using color …

tgv 的成孔工艺主要包括喷砂、超声波钻孔、湿法刻蚀、深反应离子刻蚀、光敏刻蚀、激光刻蚀、激光诱导深度刻蚀以及聚焦放电成孔等。孔形成后，需要检测，清洗；

This article presents a demonstration of 3D RF front-end filters using a 3D solenoid inductor and capacitor with Through Glass Vias (TGV) on a Gen1 glass substrate.

2024年4月14日 · 玻璃通孔（Through-Glass Via, TGV）是指使穿过玻璃基板的垂直电气互连的过程，最初出现于2008年，源自于2.5D/3D集成 TSV转接板技术 。其主要目的是解决TSV转接板在高频或高速信号传输方面因硅衬底损耗而导致的性能下降、材料成本高和工艺复杂等问题。

2024年4月27日 · TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是两种用于实现不同层面之间电气连接的技术。 TGV技术通过在玻璃基板上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现电气连接。

2023年5月4日 · tgv衬底垂直导通柱即为由回流玻璃隔离出来的硅柱，衬底上不制作金属电极，直接用硅做电极。 硅结构层采用Silicon-on-Insulator (SOI)材料和干法刻蚀制作而成，空腔制作在硅可动结构层上，通过硅-玻璃将三者阳极键合在一起，分别有两次，形成密封环境。

This article presents a demonstration of 3D RF front-end filters using a 3D solenoid inductor and capacitor with Through Glass Vias (TGV) on a Gen1 glass substrate.

2018年5月1日 · This paper presents a demonstration of 3D RF front end filters using 3D solenoid inductors with through glass vias (TGV) and Cu-SiN-Cu MIM structure on a Gen1 glass substrate (300mm x 400mm)...

TGV将助力英特尔超越Intel 18A制程节点，达成2030年之前在单一封装中提供1万亿个晶体管的宏愿。 TGV，Through Glass Via，是穿过玻璃基板的垂直电气互连。 与TSV（Through Silicon Via）相对应，作为一种可能替代硅基板的材料被认为是下一代三维集成的关键技术。 TGV 以高品质硼硅玻璃、石英玻璃为基材，通过种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化、RDL再布线，bump工艺引出实现3D互联。 TGV是直径通常为10μm-100μm的微通孔。 对于先进封装领 …

2024年10月14日 · TSV实现了芯片间的垂直互连，由于垂直互连线的距离最短、强度较高，更易实现小型化、高密度、高性能、多功能化异质结构的封装，与此同时还可互连异种材质的芯片；目前采用TSV工艺微电子制造技术有两种：三维电路封装(3D IC integration)和三维硅封装(3D Si integration)。 两种形式的不同在于： (1) 三维电路封装需要把芯片电极制备成为凸点，凸点间进行互连 (通过粘结、熔合、焊接等手段键合)，而三维硅封装是芯片与芯片的直接互连 (氧化物之 …