玻璃通孔(Through-Glass Via, TGV)互连技术最早可追溯至2008年, 衍生于2.5D/3D集成TSV转接板技术, 主要用来解决TSV转接板由于硅衬底损耗带来高频或高速信号传输特性退化、材料成本高与工艺复杂等问题。

2024年4月14日 · 玻璃通孔（Through-Glass Via, TGV）是指使穿过玻璃基板的垂直电气互连的过程，最初出现于2008年，源自于2.5D/3D集成 TSV转接板技术 。其主要目的是解决TSV转接板在高频或高速信号传输方面因硅衬底损耗而导致的性能下降、材料成本高和工艺复杂等问题。

2023年5月4日 · tgv衬底垂直导通柱即为由回流玻璃隔离出来的硅柱，衬底上不制作金属电极，直接用硅做电极。 硅结构层采用Silicon-on-Insulator (SOI)材料和干法刻蚀制作而成，空腔制作在硅可动结构层上，通过硅-玻璃将三者阳极键合在一起，分别有两次，形成密封环境。

Key words: Through glass via (TGV); glass; panel electrical loss, low or adjustable dielectric constant, and adjustable coefficient of thermal expansion (CTE). There has been much work in recent years as researchers demonstrate leveraging glass properties to …

2023年8月21日 · TGV，英文縮寫 「Through-Glass Via」，即是穿過玻璃基板的垂直電互連。 和TSV相對應的是，作為一種可能替代矽基板的材料，玻璃通孔（TGV）三維互連技術因眾多優勢正在成為當前的研究熱點。

2024年12月18日 · TGV（Through Glass Via）玻璃通孔技术是一种用于玻璃基板的垂直电气互连技术，其原理与硅基板上的TSV（Through Silicon Via）硅通孔技术类似。 TGV玻璃通孔技术最早可追溯至2008年，源自2.5D/3D集成封装中应用的TSV转接板技术。

The relatively high stiffness and ability to adjust the coefficient of thermal expansion gives advantages to manage warp in glass core substrates and bonded stacks for both through glass vias (TGV) and carrier applications. Glass also gives advantages for …

2023年12月28日 · Through Glass Via (TGV) is the vertical electrical interconnection through the glass substrate, which corresponds to TSV. Glass substrates possess superior electrical properties and lower parasitic capacitance than common silicon and SOI substrates, facilitating the extension of high-frequency signal transmission [ 3 ].

玻璃通孔(TGV)和硅通孔（TSV）工艺相比TGV的优势主要体现在： 1）优良的高频电学特性。 玻璃材料是一种绝缘体材料，介电常数只有硅材料的1/3左右，损耗因子比硅材料低2-3个数量级，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，保证了传输信号的完整性； 2）大尺寸超薄玻璃衬底易于获取。 Corning、Asahi以及SCHOTT等玻璃厂商可以提供超大尺寸（>2m × 2m）和超薄（<50µm）的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料。 3）低成本。 受益于大尺寸超薄面板玻璃易于获取，以及不需 …

TGV（Through Glass Via，玻璃通孔） 是一种新兴的微电子封装技术，通过在玻璃基板上形成贯穿通孔，并在其内壁进行导电镀膜，实现高密度电气互连。 相比传统硅通孔（TSV）和有机基板，TGV玻璃具有低损耗、高透明度和优异的热稳定性，广泛应用于5G通信、光电封装、MEMS传感 …