2024年4月27日 · TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是两种用于实现不同层面之间电气连接的技术。 TGV技术通过在玻璃基板上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现电气连接。

2024年2月25日 · 3D封装可采用凸块或硅通孔技术（Through Silicon Via，TSV），TSV是利用垂直硅通孔完成芯片间互连的方法，由于连接距离更短、强度更高，能实现更小更薄而性能更好、密度更高、尺寸和重量明显减小的封装，而且还能用于异种芯片之间的互连。

玻璃通孔 (Through-Glass Via, TGV)互连技术最早可追溯至2008年, 衍生于2.5D/3D集成TSV转接板技术, 主要用来解决TSV转接板由于硅衬底损耗带来高频或高速信号传输特性退化、材料成本高与工艺复杂等问题。

2024年10月14日 · 目前主流的TSV通孔刻蚀工艺主要有四种：分别是深反应离子刻蚀法 (DeepReactive Ion Etching, DRIE)、湿法刻蚀法、光辅助电化学刻蚀法 (photo-assisted electrochemical etching, PAECE)与激光钻孔法。

2023年5月4日 · 基于常规工艺TGV技术衬底是在玻璃片上制作电极和通孔，通孔表面沉积有金属层，有的通孔填充焊锡球，用以形成垂直导通柱，把电信号由密封腔中引出。 最后通过阳极键合把器件层与TGV衬底键合在一起，形成密封。

TSV、TMV、TGV结构都有其各自的优点和缺点，没有一种通孔结构可以完美应用于各种高密度高维度集成封装。 TSV结构在半导体电子存储、CMOS图像传感器及MEMS传感器领域有相对明显的优势，但材料兼容性不高、工艺成本高昂。

Based on our simulation results, through glass via (TGV) is expected to significantly improve the performance of 3D-ICs as it provides lower parasitics than through silicon via (TSV). TGV can be used to build a spiral inductor.

2024年10月23日 · 硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）是一种前沿的封装技术，通过在硅片中垂直穿透，实现不同芯片或层之间的功能集成。 TSV 主要采用铜等导电材料填充硅通孔，以实现硅片内部的垂直电气连接。

玻璃通孔(TGV)和硅通孔（TSV）工艺相比TGV的优势主要体现在： 1）优良的高频电学特性。 玻璃材料是一种绝缘体材料，介电常数只有硅材料的1/3左右，损耗因子比硅材料低2-3个数量级，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，保证了传输信号的完整性； 2）大尺寸超薄玻璃衬底易于获取。 Corning、Asahi以及SCHOTT等玻璃厂商可以提供超大尺寸（>2m × 2m）和超薄（<50µm）的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料。 3）低成本。 受益于大尺寸超薄面板玻璃易于获取，以及不需 …

5 天之前 · TSV 技术通过在芯片与芯片、晶圆与晶圆之间制作垂直通孔，实现芯片之间的直接互连。 它能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片间的互连线最短、外形尺寸最小，显著提高芯片速度，降低芯片功耗，因此成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。