阈值电压 (Vt或Vth)的概念是从MOS (Metal-Oxide-Semicondutor)来的。 MOS的工作原理就像一个水库，Gate就是闸，闸抬起来 (VGate≥Vth)电流就可以流过沟道 (Channel)，闸放下去 (VGate<Vth)电流就不可以流过。 因此把这个Vth称为阈值电压。 对于NMOS来说， FGNMOS又是什么情况呢？ NMOS中间增加的 Floating Gate (FG)又改变了什么呢？ 这里做一个简单的解释。 首先，FG是用来存储电子的。 其次，Control Gate (CG)上的电压不能像NMOS那样直接控 …

2023年7月1日 · 而在tlc上，我们可以构造数个不同的格雷码以满足8个vt状态的编码需求。 选哪个格雷码使用，则和TLC各个页(page)的读取性能及可靠性平衡相关。 先以MLC为例，每一个存储单…

2024年1月14日 · 本文详细解释了NandFlash中使用浮栅晶体管存储数据的基本原理，包括阈值电压的作用以及TLC（Triple-LevelCell）如何通过不同电压读取三个位。 通过逐级增加读参考电压来确定每个位的值，从而实现数据的读取。

闪存有其巨大的优势，由于它的vt可以被调节，因此能够通过不同vt构造闪存单元的双稳态(slc)，甚至构造多稳态(mlc / tlc / qlc...)来存储二进制信息。以slc而言，闪存的双稳态，就是相对稳定的编程态(高vt)和相对稳定的擦除态(低vt)。

2023年8月24日 · 阈值电压(Vt或Vth)的概念是从MOS管来的。 MOS的工作原理就像一个水库，Gate就是闸，闸抬起来(VGate≥Vth)电流就可以流过沟道(Channel)，闸放下去(VGate Nand Flash -详述2

In this work we present and validate a dedicated algorithm (cross-temperature dynamic V TH tracking or CTDVT) that goes in synergy with a system like a Solid State Drive to completely suppress the cross-temperature issue.

2017年12月28日 · comprehensive solution for both write-hot and cold data to improve the reliability of Triple Level Cell (TLC) NAND Flash memories. For write-hot data, WBVM VTH

2017年7月14日 · VTH分布宽度（Vth distribution width）定义为累积概率为0.005对应的Vth值（又称为低尾，lower tail）与累计概率为0.995对应的Vth值（又称为高尾，upper tail）的差值，如下图a所示。

2021年3月17日 · 从图1.1看到，Vth整体左移，主要原因是浮栅电子流失。 从图1.2看到，100K cycles读操作后，可以看到处于低电平cells的Vth会向右偏移 (原因为读导致的弱编程)，为高电平的cells的向左偏移（电子从IPD流失到控制栅）。 图1.3对应2.1和2.2章节的结论。 Data retention主要造成Vth左移；read disturb影响:weak-program对低电平的cells造成往右偏移；高电平的cells由于电子流失造成Vth左移。 3. Edge WL: Edge WL，本文指的是WL0和WL85，靠近drain select …

Abstract: Lateral charge migration and vertical charge detrap degrade the reliability of 3D-Triple-Level Cell (TLC) NAND flash. Lateral charge migration is dominant at the low write/erase (W/E) endurance and vertical charge de-trap is dominant at the high endurance.