TSMC's Embedded Flash technology ranges from 0.5-micron (µm) to 40nm and provides a number of flash IP options to meet a variety of product design requirements.

从英飞凌和TSMC合作的RRAM替代eFlash，以及NXP采用了MRAM来看，22/28甚至更先进的制程下很可能未来就没有eFlash的事情了。 理论上RRAM的单bit成本应该是比eFlash更低的，现在主要是endurance的问题还不行，将来这几个新型存储方案一定会有走出来的。

MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用 自旋极化电流 驱动。 另外，相较于DRAM、SRAM和NAND Flash等技术面临的微缩困境，MRAM可满足制程进一步微缩需求。 目前， DRAM制程 工艺节点为1X nm，已接近极限，而Flash走到20 nm以下后，就朝3D制程转型了。 MRAM制程则可推进至10nm以下。 诸神争霸. 在过去几年里，包括台积电、英特尔、三星、格芯等晶圆代工厂 …

2024年5月21日 · eFlash主要应用于集成电路芯片中，用于高密度存储和程序代码的存储；而pFlash主要应用于外部存储设备中，用于大容量数据的存储，并通过并行接口进行数据读写。 文章浏览阅读1.8k次。 eFlash工艺和pFlash工艺分别是什么？ 区别在哪儿？ _pflash.

TSMC’s non-volatile memory solutions include Flash, Spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM), and resistive random access memory (RRAM). TSMC is also actively exploring phase change random access memory (PCRAM), and spin-orbit torque MRAM (SOT-MRAM) elements, as well as selector devices which are essential to support ...

2022年2月22日 · TSMC provides foundry's most advanced and comprehensive portfolio of Embedded NVM technologies, featuring fastest computing capacity, smallest flash dimensions, and lowest power consumption. [台积电提供代工厂最先进、最全面的嵌入式 NVM 技术组合，具有最快的计算能力、最小的闪存尺寸和最低的功耗。

2022年11月3日 · 磁性随机存取存储器（MRAM）作为一种新兴的非易失性存储器，具有高读写速度、高续航能力、长存储时间和低功耗等特点。近年来TSMC、SAMSUNG、GlobalFoundries等大型半导体厂商也在MRAM领域积极布局。

2023年5月16日 · 利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合，为向软件定义汽车演进打造理想的硬件平台。 Flash存储器更新20MB的代码需要约1分钟时间，而MRAM只需3秒左右，最大限度地缩短软件更新带来的停机时间，汽车厂商能够消除模块长时间编程引起的瓶颈。 此外，MRAM提供多达一百万个更新周期，耐久性超过闪存和其他新兴存储器技术的十倍，为汽车失效缺陷提供高度可靠的技术。 软件定 …

台積公司今（21）日宣佈0.13微米嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash)製程已通過驗證並開始生產；台積公司也是專業積體電路製造服務領域第一家提供與邏輯製程完全相容的0.13微米Embedded Flash製程的業者。

之后飞思卡尔半导体宣布该公司将与多家创投公司集资成立一间以磁性随机存取存储器 (MRAM)为主要产品的独立新公司——EverSpin Technologies，致力于提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁性产品。