半导体大厂们掀起“3D堆叠大战”，3D芯片堆叠技术到底是什么？
2019年8月14日 · SoIC技术是采用硅穿孔 (TSV)技术，可以达到无凸起的键合结构，可以把很多不同性质的临近芯片整合在一起，而且当中最关键、最神秘之处，就在于接合的材料，号称是价 …
3D IC TSV製程技術簡介 - 材料世界網
近年來，半導體3D IC製程以及3D封裝廣泛的被很多國際研究機構以及廠商重視(1)，而在3D IC的技術中，矽導通孔(Through Silicon Via; TSV)、晶圓接合技術(Wafer Bonding)、晶圓薄 …
Three-Dimensional Integrated Circuit (3D IC) Key Technology: …
2017年1月19日 · To achieve 3D and 2.5D IC integrations, several key technologies are required, such as through-silicon via (TSV), wafer thinning, and handling, as well as wafer/chip bonding. …
TSV-Based 3-D ICs: Design Methods and Tools - IEEE Xplore
2017年2月9日 · The primary focus of this paper is TSV-based 3-D ICs, although we also discuss recent advances in monolithic 3-D ICs. The objective of this paper is to provide a unified …
芯和半导体苏周祥：全面支持2.5D/3DIC的Chiplet设计 - 知乎
2023年11月3日 · 因此，芯和半导体推出专为3DIC Chiplet量身定做的设计仿真全流程EDA平台，这是一个针对Chiplet的完整的包括3DIC设计、SI/PI/多物理场分析的解决方案。 该平台拥 …
基于硅通孔(TSV)的三维集成电路(3DIC)关键特性分析-学位-万方数 …
三维集成电路 (Three-Dimensional Integrated Circuit,3D IC)不再一味追求小尺寸,而是采用三维堆叠的方式来提高系统集成度,通过硅通孔 (Through-Silicon-Via, TSV)实现层间垂直互连,有效缩短 …
3D- TSV技术—延续摩尔定律的有效通途 - 知乎 - 知乎专栏
2024年4月4日 · 对于堆叠器件的 3-d 封装领域而言， 硅通孔技术 （ tsv ）是一种新兴的技术解决方案。将器件 3d 层叠和互连可以进一步加快产品的时钟频率、降低能耗和提高集成度。
Technologies and challenges of fine-pitch backside via-last 3DIC TSV ...
Technologies of fine-pitch backside via last 3DIC through silicon via (TSV) process are developed to be applied to the mass production of 3D IC products. The detailed process development key …
三維積體電路 (3DIC)導通孔 (TSV)技術-技術移轉-產業服務-工業技 …
3DIC技術可藉由晶片堆疊及TSV垂直聯繫訊號的方式使晶片的效能或容量(例如記憶體)持續擴充，因此可以使用原有的technology node來製作晶片並藉由3DIC技術使晶片效能進一步提升。
• 3DIC is most prominent technology advancement in Semiconductor Industry • Offers Low latency, Higher bandwidth and package density • Shorter inter-connect lengths