TSV，是英文Through-Silicon Via的缩写，即是穿过硅基板的垂直电互连。 如果说 Wire bonding （引线键合）和 Flip-Chip （倒装焊）的Bumping（凸点）提供了芯片对外部的电互连， RDL (再布线)提供了芯片内部水平方向的电互连，那么TSV则提供了硅片内部垂直方向的电互连。

In electronic engineering, a through-silicon via (TSV) or through-chip via is a vertical electrical connection (via) that passes completely through a silicon wafer or die. TSVs are high-performance interconnect techniques used as an alternative to wire-bond and flip chips to create 3D packages and 3D integrated circuits.

TSV，全名Through-Silicon Via，又叫 硅通孔工艺。 硅基底准备：流程以一块覆盖有 二氧化硅 （SiO₂）层的硅基底开始。 这层SiO₂可以通过热氧化或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法形成。 光刻： 光刻胶 （Photoresist）被涂布在SiO₂层上，然后通过曝光和显影步骤进行图案化，以得到后面工序要进行硅蚀刻的区域。 硅蚀刻：使用光刻图案作为掩模，采用 DRIE 在硅基底中蚀刻出通孔。 去除光刻胶：在蚀刻完成后，去除光刻胶以准备接下来的层沉积步骤。

2022年1月26日 · 硅通孔技术（TSV，Through -Silicon-Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，如图3 TSV封装与叠层封装对比图。 图3 Comparisonof package height for wide I/O DRAM with (a) TSV connectionsand (b) wirebondconnections. TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。 TSV 技术通过铜、钨和多晶硅 …

2021年12月3日 · A TSV is used as a high-performance interconnection technique to fabricate three-dimensional integrated circuits (3D IC). It stands as the higher performing technology as opposed to its alternatives: wire-bond, flip-chip.

2015年3月5日 · The idea of using through-silicon-via (TSV) technology has been around for many years. However, this technology has only recently been introduced into high volume manufacturing. This paper gives a comprehensive summary of the TSV fabrication steps, including etch, insulation, and metallization.

2023年2月19日 · 深孔金属化电镀设备用于新一代高频组件高深宽比通孔填孔电镀铜工艺，解决高深宽比微孔内的金属化问题，提高互联孔的可靠性。 TSV填孔镀铜工序是整个TSV工艺里最核心、难度最大的工艺，对设备的要求比较高， 成熟的用于TSV填孔镀铜的设备价格昂贵。

近年來，半導體3D IC製程以及3D封裝廣泛的被很多國際研究機構以及廠商重視 (1)，而在3D IC的技術中，矽導通孔 (Through Silicon Via; TSV)、晶圓接合技術 (Wafer Bonding)、晶圓薄化 (Wafer Thinning)、薄晶圓的拿取 (Thin Wafer Handling)是整個3D IC中最核心的四大技術

2020年4月14日 · This article reviews some of the processing steps associated with fabricating TSVs. A TSV is a hole in a silicon (Si) substrate that is filled with a conducting material to allow 3D electrical routing.

TSV 是用于精确连接堆叠芯片的垂直线路，通过在硅中刻蚀沟槽，然后填充绝缘衬里和金属线而形成。 TSV 可在芯片内各种元件之间或堆叠的芯片间实现高速通信，从而改善集成电路（IC） …