In electronic engineering, a through-silicon via (TSV) or through-chip via is a vertical electrical connection that passes completely through a silicon wafer or die. TSVs are high-performance interconnect techniques used as an alternative to wire-bond and flip chips to create 3D packages and 3D integrated circuits.

2023年3月21日 · TSV (Through Silicon Via)中文为硅通孔技术。 它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。 （a） TSV封装(a)与叠层封装(b)对比图(图片来源：芯语) 2.TSV技术的优势. 高密度集成：通过先进封装，可以大幅度地提高电子元器件集成度，减小封装的几何尺寸和封装重量。 克服现有的2D …

硅通孔 技术，英文全称：Through-Silicon Via，简写： TSV ，即是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D 封装的关键工艺技术之一，同时还有一先进封装工艺技术就是： 玻璃通孔 （TGV），今天我们主要跟大家分享 ...

TSV，是英文Through-Silicon Via的缩写，即是穿过硅基板的垂直电互连。 如果说 Wire bonding （引线键合）和 Flip-Chip （倒装焊）的Bumping（凸点）提供了芯片对外部的电互连， RDL (再布线)提供了芯片内部水平方向的电互连，那么TSV则提供了硅片内部垂直方向的电互连。

2024年10月14日 · 3D互连的方式包括引线键合(wire bonding，WB)、倒装芯片(flip chip, FC)、硅通孔(through silicon via, TSV)、薄膜导线(film conductor)等。 TSV实现了芯片间的垂直互连，由于垂直互连线的距离最短、强度较高，更易实现小型化、高密度、高性能、多功能化异质结构的封装，与此同时还可互连异种材质的芯片；目前采用TSV工艺微电子制造技术有两种：三维电路封装(3D IC integration)和三维硅封装(3D Si integration)。

2020年4月14日 · Through-silicon vias (TSVs) are a critical technology for three-dimensional integrated circuit technology. These through-substrate interconnects allow electronic devices to be stacked vertically for a broad range of applications and performance improvements such as increased bandwidth, reduced signal delay, improved power management, and ...

2024年10月7日 · 硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技术是现代高密度集成电路封装中不可或缺的一部分，尤其在推动3D集成电路发展方面发挥着关键作用。TSV允许芯片间的垂直互连，极大地提高了信号传输速度和系统集成度。然而，TSV的...

2024年10月9日 · 硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现

硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）技术是一种用于实现芯片和晶圆垂直互联的关键工艺，被广泛应用于 2.5D 和 3D 封装中。 TSV 通过缩短互连长度、降低功耗和信号延迟，大幅提升系统性能和整合度，当然 TSV 的高成本、复杂工艺及热应力管理等挑战限制了其大规模应用。

TSV(through silicon via)是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。 TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小。