2024年2月25日 · 3D封装可采用凸块或硅通孔技术（Through Silicon Via，TSV），TSV是利用垂直硅通孔完成芯片间互连的方法，由于连接距离更短、强度更高，能实现更小更薄而性能更好、密度更高、尺寸和重量明显减小的封装，而且还能用于异种芯片之间的互连。

2024年10月14日 · TSV实现了芯片间的垂直互连，由于垂直互连线的距离最短、强度较高，更易实现小型化、高密度、高性能、多功能化异质结构的封装，与此同时还可互连异种材质的芯片；目前采用TSV工艺微电子制造技术有两种：三维电路封装(3D IC integration)和三维硅封装(3D Si ...

2024年4月27日 · TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是两种用于实现不同层面之间电气连接的技术。 TGV技术通过在玻璃基板上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现电气连接。

玻璃通孔(Through-Glass Via, TGV)互连技术最早可追溯至2008年, 衍生于2.5D/3D集成TSV转接板技术, 主要用来解决TSV转接板由于硅衬底损耗带来高频或高速信号传输特性退化、材料成本高与工艺复杂等问题。

2023年5月4日 · 和TSV相对应的是，作为一种可能替代硅基转接板的材料，玻璃通孔（TGV）三维互连技术因众多优势正在成为当前的研究热点，与硅基板相比，TGV的优势主要体现在： 1）优良的高频电学特性。 玻璃材料是一种绝缘体材料，介电常数只有硅材料的1/3左右，损耗因子比硅材料低2-3个数量级，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，保证了传输信号的完整性； 2）大尺寸超薄玻璃衬底易于获取。 Corning 、 Asahi 以及 SCHOTT 等玻璃厂商可以提供超大尺寸（>2m × …

tsv 和 tgv 皆是在3d封裝領域中，用於實現多晶片堆疊和連接的技術。 但兩者的基本材料和製程步驟有所不同，TSV 主要使用在矽晶片上；而 TGV 則使用在玻璃基板上，具有更大的應用靈活性。

TSV 技术通过在芯片与芯片、晶圆与晶圆之间制作垂直通孔，实现芯片之间的直接互连。 它能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片间的互连线最短、外形尺寸最小，显著提高芯片速度，降低芯片功耗，因此成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。 然而，硅是一种半导体材料，TSV 周围的载流子在电场或磁场作用下可以自由移动，对邻近的电路或信号产生影响，影响芯片性能。 玻璃材料没有自由移动的电荷，介电性能优良，热膨胀系数 ( CTE) 与硅接近，以玻璃 …

2024年10月23日 · 硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）是一种前沿的封装技术，通过在硅片中垂直穿透，实现不同芯片或层之间的功能集成。 TSV 主要采用铜等导电材料填充硅通孔，以实现硅片内部的垂直电气连接。 这种技术能够减少信号传输的延迟，降低电容和电感，从而实现芯片的低功耗和高速通信，提升带宽，并满足器件集成的小型化需求。 在此之前，芯片之间的大多数连接都是水平的，TSV 的诞生让垂直堆叠多个芯片成为可能。 Wire bonding（引线键合）和 …

2024年8月29日 · TSV（Through Silicon Via），硅通孔技术，是通过硅通道垂直穿过组成堆栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的先进封装技术。 TSV 主要通过铜等导电物质的填充完成硅通孔的垂直电气互连，减小信号延迟，降低电容、电感，实现芯片的低功耗、高速通信，增加带宽和实现器件集成的小型化需求。 此前，芯片之间的大多数连接都是水平的，TSV 的诞生让垂直堆叠多个芯片成为可能。 Wire bonding（引线键合）和 Flip-Chip（倒装焊）的 Bumping（凸 …

2024年12月27日 · tsv技术是在硅晶圆上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现芯片内部不同层面之间的电气连接。 TSV技术能够显著提高芯片内部的互连密度，降低信号传输延迟，提高系统的整体性能。