Tantalum hafnium carbide is a refractory chemical compound with a general formula Ta x Hf y C x+y, which can be considered as a solid solution of tantalum carbide and hafnium carbide. It was originally thought to have the highest melting of any known substance but new research has proven that hafnium carbonitride has a higher melting point.

2024年5月1日 · 五碳化四钽铪（Ta4HfC5）是一种具有极高熔点的化合物，是目前已知熔点最高的物质之一，熔点可达到4215℃。 尽管它具有这样的高温耐受性，但在航空发动机中应用耐高温材料时，需要考虑的不仅仅是熔点这一单一属性。

目前地球上熔点最高的物质是人工合成的 铪合金 —— 五碳化四钽铪 化合物（Ta4HfC5），该物质的熔点高达4215摄氏度。 可是这仍然比太阳表面的温度低了1000多度，依旧抵抗不了太阳表面的高温。

2019年2月1日 · Pyrolysis of the polymer precursor at 1600 °C in vacuum produced Ta4 HfC 5 nanocrystallites with an average grain size of 21 nm and well-distributed elements, encapsulated by an amorphous carbon shell.

2022年3月25日 · Ultra-fine Ta 4 HfC 5 and TaHfC 2 powders were prepared through the pyrolysis of a precursor synthesised by using a facile one-pot reaction. HfCl4, TaCl 5, and phenolic resins were used as the sources of hafnium (Hf), tantalum (Ta), and carbon (C), respectively.

2020年11月27日 · The in situ nano Ta4HfC5 reinforced SiBCN-Ta4HfC5 composite ceramics were prepared by a combination of two-step mechanical alloying and reactive hot-pressi

2022年6月1日 · Introducing Ta 4 HfC 5 into Si-based non-oxide ceramics to form composite ceramics is of great significance to the optimization of high-temperature performance and application of Si-based non-oxide ceramics.

最耐热人造材料是碳化钽铪合金--Ta4HfC5（五碳化四钽铪化合物，熔点），于2018年由 俄罗斯远东联邦大学 和和俄罗斯科学院远东分院学者通过脉冲火焰烧结方法（4126摄氏度）由碳化钽（熔点3983 摄氏度）和碳化铪（熔点3928摄氏度）这两种二元化合物合成，被认为 ...

2024年7月10日 · 本文合成了一种Ta4HfC5前驱体，分别对其化学稳定性、陶瓷产率、黏度等参数进行了表征，探究其前驱体浸渍裂解法（PIP）制备超高温陶瓷基复合材料应用的可行性。

TaxHf1–xCy（x＜1，y≤1）三元碳化物具有极高的熔点，特别是Ta4HfC5（即Ta0.8Hf0.2C）的熔点高达4300K，是目前已知熔点最高的碳化物，因此开展TaxHf1–xCy陶瓷基复合材料的研究具有重要意义。 但现有工艺制备的Ta4HfC5粉体存在粉体粒径大、纯度低、热处理温度较高等问题，同时TaxHf1–xCy的高熔点和较差的抗氧化性也限制了材料的工程化应用。 针对上述问题，本文系统开展TaxHf1–xCy粉体合成和复合材料的制备的研究工作。 分别以酚醛树脂和蔗糖作为碳源，通 …