
A Ta-TaS2 monolith catalyst with robust and metallic interface for ...
2021年10月18日 · The interface was also examined by scanning TEM-high-angle annular dark field (STEM-HAADF) microscopy (Fig. 2e), with elemental Ta on both two sides while elemental S was present only on one side...
Dualistic insulator states in 1T-TaS2 crystals | Nature …
2024年4月23日 · In this study, we present a unique approach to unlock the intertwined two-dimensional Mott-insulator and three-dimensional band-insulator states in bulk 1T-TaS 2 crystals by structuring a...
In this study, we present a unique approach to unlock the intertwined two-dimensional Mott-insulator and three-dimensional band-insulator states in bulk 1T-TaS2 crystals by structuring a...
Abnormal Metal–Semiconductor-Like Transition and Exceptional …
2023年6月26日 · Here, we employ restacked TaS 2 ─a novel transition metal dichalcogenide (TMD) with weak vdW bonding and twisted angles─to investigate the strain effects of interlayer modulation on the electronic properties. Under pressure, an unexpected transition from metallic to semiconducting-like states occurs.
中科院上海硅酸盐所黄富强团队:界面效应用于TMD超导体系研究 …
2017年7月16日 · 近日,中国科学院上海硅酸盐研究所、上海微系统与信息技术研究所、北京大学等共同合作研究,通过化学剥离成单层TaS2纳米片,以及纳米片抽滤自组装而重新堆叠成TaS2薄膜。
transition-metal dichalcogenides (TMDs), such as TaS2 or TaSe2, are prototypical charge-density-wave (CDW) systems that spontaneously break lattice symmetry through periodic lattice distortions (PLDs). PLDs are associated with dramatic electronic changes such as metal-to-insulator transitions (1).
(a) High-angle annular dark field (HAADF) STEM image of TaS 2 ...
The TaS2-based photoelectrocatalyst demonstrates high hydrogen evolution reaction (HER) activity with the onset overpotential below 575 mV vs. reversible hydrogen electrode (RHE).
通过高效无超声剥离探索单层到少层 TaS2 的结构
原子力显微镜图像进一步证实了少层 TaS2 纳米片和单层 TaS2 片的形成。 少层TaS2纳米片保持1T结构,而单层TaS2片表现出晶格畸变,可能采用具有三棱柱配位的类1H结构。 层状过渡金属二硫属化物(TMDs)由于其独特的结构特征和在能源领域的优异性能而作为二维材料引起了极大的兴趣 [1,2,3,4,5,6,7,8,9] 和电 [10,11,12,13,14]。 由于它们的层状结构,TMDs 通常用作嵌入从路易斯碱到碱金属的各种给电子物质的主体,并且可以使用有机锂 [14] 或碱金属萘 [15] 还原剥离 …
中科大JACS: 酸辅助剥离制备具有高体积比电容的单层金属亚纳米 …
2018年1月3日 · 本文介绍了一种酸辅助剥离方法将快速剥离和简易结构修饰结合成一步, 用于可控制备纳米孔过渡金属硫属化合物纳米材料。 氢离子可以极大地增加层间距并促进平面内TaS 2 晶格的化学侵蚀,进而获得大面积、具有亚纳米孔结构的单层导电TaS 2 材料。 通过改变氢离子的浓度,材料的孔密度得到很好的控制,可以应用在能源存储中。 由这种材料构成的微型超级电容器具有超高的体积比电容和高能量密度。 本方法将来可以用于二维材料的修饰。 文献链接: Acid …
无序堆叠的界面效应引起TaS2薄膜体系的超导增强效应- X-MOL资讯
2017年7月31日 · 中国科学院上海硅酸盐研究所 、 中国科学院上海微系统和信息技术研究所 、 北京大学 等共同合作研究, 通过化学剥离得到单层Ta S 2 纳米片以及纳米片抽滤自组装重新堆叠成Ta S 2 薄膜 ,HAADF-STEM微观电镜观察表明,层与层之间存在堆垛扭曲(图1c),选区电子 ...
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