Chemical vapor deposition TiN process for contact/via barrier ...
1995年9月1日 · Chemical vapor deposition (CVD) TiN is an attractive replacement for PVD TiN as a barrier and glue layer for subhalf‐micron contacts and vias. CVD TiN films have been deposited in a commercial reactor via the thermal decomposition of tetrakis‐dimethyl‐amino‐titanium (TDMAT) precursor in an N 2 ambient. The deposition can be ...
四二甲基氨基钛-化学气相沉积.docx 6页 - 原创力文档
2024年4月14日 · 四二甲基氨基钛（TDMAT）是一种常用的金属有机化合物，广泛应用于化学气相沉积（CVD）工艺中。 本文将对TDMAT的化学性质、CVD工艺中的应用以及相关的研究进展进行介绍。 一、TDMAT的化学性质. 1.分子结构. TDMAT的分子式为C8H24N2Ti，其化学结构中包含一个氨基和两个甲基氨基配体，与钛形成了稳定的配合物。 TDMAT是一种无色液体，在常温下具有较低的蒸汽压，易于在CVD工艺中使用。 2.热稳定性. TDMAT具有良好的热稳定性，可在较 …
四二甲基氨基钛 化学气相沉积 - 百度文库
四二甲基氨基钛（tdmat）是一种常用的金属有机化合物，广泛应用于化学气相沉积（cvd）工艺中。本文将对tdmat的化学性质、cvd工艺中的应用以及相关的研究进展进行介绍。 一、tdmat的化学性质 1. 分子结构
(PDF) Chemical vapor deposition TiN process for contact/via …
1995年10月1日 · Chemical vapor deposition (CVD) TiN is an attractive replacement for PVD TiN as a barrier and glue layer for subhalf-micron contacts and vias. CVD TiN films...
In this work, Ti.X films were deposited by chemical vapor deposition (CVD) at atmospheric pressure using the tetrakis (dimethylamido) titanium (TDMAT) and tetrakis (diethylamido) titanium (TDEAT) organic precursors over a range of temperatures and ammonia partial pressures.
Thermal Decomposition of Tetrakis (ethylmethylamido) Titanium …
2006年2月20日 · The thermal decomposition of tetrakis (ethylmethylamido) titanium (TEMAT) has been investigated in Ar and gas atmospheres at gas temperatures of 100-400 by using Fourier Transform infrared...
Thermal and Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of TiN Using TDMAT ...
2014年5月6日 · Thermal and plasma-enhanced ALD growth of TiN using tetrakis(dimethylamino)titanium (TDMAT) and NH 3 as precursors on agitated particles was performed using a rotary reactor to deposit TiN on ZnO submicrometer powder.
Surface chemistry and film growth during TiN atomic layer deposition ...
2003年7月31日 · Surface chemistry and film growth were examined during titanium nitride (TiN) atomic layer deposition (ALD) using sequential exposures of tetrakis-dimethylamino titanium (TDMAT) and NH 3. This ALD system is shown to be far from ideal and illustrates many potential problems that may affect ALD processing.
四（二甲基胺基）钛TDMAT的特性和半导体工艺中的应用
2025年1月14日 · 四（二甲基胺基）钛（Titanium tetrakis (dimethylamide)，简称TDMAT），作为一种钛的有机化合物，在半导体工艺中扮演着重要角色。 它常被用作化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的前驱体材料。 这种化合物的性质特点包括其浅黄色至无色的液体外观、高挥发性以及容易水解的特性。 在半导体工艺中，TDMAT的应用广泛，特别是在薄膜沉积方面。 它可以通过高温分解来沉积出TiN或TiO₂薄膜，这两种薄膜材料在集成电路、DRAM和其他高介电常数 …
Tetrakisdimethylamidotitanium (TDMAT i) is a liquid chemical source suitable for the chemical vapor deposition of titanium nitride layers. TiN films are effective diffusion barriers for semiconductor device applications. ´MO-D CV IDENTIFICATION CAS-No: 3275-24-9 EINECS/ELINCS-No: not registered Other names: none