In semiconductor manufacturing, the "7 nm" process is a term for the MOSFET technology node following the "10 nm" node, defined by the International Roadmap for Devices and Systems (IRDS), which was preceded by the International Technology Roadmap for …

比如上图中，台积电的7nm 制程工艺，Gate pitch 是57nm，Interconnect pitch 是40nm; 不难注意到，英特尔的10nm 制程工艺的 Gate pitch/ Interconnect pitch和台积电的7nm 工艺是差不多的，这也是最终两者的晶体管密度和性能差不多的原因。

季丰电子MA团队解剖了 iPhone 11系列搭载的A13芯片——一探台积电7 nm技术节点产品的奥秘。 以下为A13芯片7 nm工艺的TEM剖析效果展示。 结合STEM模式下的HA AD F像和BF像，可以清晰区分大部分的膜层结构，但是需准确地了解每层结构的成分信息，必须进行进一步的成分分析。 当膜层结构又小又多，同时又没有相应的layout情况下，准确判断合适的停刀位与保持样品的平整度是TEM制样的难点。 TEM搭载的EDS能谱仪是目前纳米级微区成分分析的强有力手段。 它可 …

2020年8月台積電在官方部落格宣布，7nm製程晶片於2018年4月正式投入量產，直至2020年7月已生產出第10億顆功能完好、沒有缺陷的晶片，達成新的里程碑。

2024年12月3日 · 7nm节点：代表了更高的晶体管密度，但实际尺寸可能远大于7nm。 涉及以下东西： FinFET（鳍式场效应晶体管）：用于22nm及后续工艺。 GAA（Gate-All-Around）：3nm节点引入的下一代晶体管架构。 深紫外光刻（DUV）：用于28nm到14nm节点。

为了一探先进制程芯片内部的奥秘，本文选择了一颗今年最新上市的制程为4nm的芯片，借助透射电子显微镜（tem）、双束聚焦离子束（db fib）、扫描电子显微镜（sem）等先进的显微分析技术，从封装级到晶圆级，逐级对芯片内部的关键工艺结构、材料成分及关键 ...

2020年7月17日 · 缺“芯”困局之下，推动车规级芯片国产替代进程的呼声愈发高涨，芯擎科技应运推出中国首款车规级7nm先进制程高端处理器芯片“龍鷹一号”，涵盖多核异构超大规模SoC设计、自主设计多种创新核心IP、面向实际量产的车身电气架构设计等多个核心维度。

2025年3月21日 · The 7nm process features SAQP for the FEOL, and double patterning for the BEOL. GlobalFoundries claims a 2.8 times density improvement compared to their 14nm process, and a performance improvement of 40% or a 55% reduction in power consumption. Two versions of the process will be developed: a low power version for mobile applications.

为了一探先进制程芯片内部的奥秘，本文选择了一颗今年最新上市的制程为4nm的芯片，借助 透射电子显微镜 （TEM）、 双束聚焦离子束 （DB FIB）、 扫描电子显微镜 （SEM）等先进的显微分析技术，从封装级到晶圆级，逐级对芯片内部的关键工艺结构、材料成分及关键尺寸信息进行了全方位的解析，了解了其结构、材料和工艺详情。 以下是分析过程介绍： 第一步：芯片无损分析. 芯片的封装形式为 POP封装，首先采用3D OM光学显微镜、 X光射线检查设备，对芯片的封装 …

As compared to 14-nm technology node, the 7-nm technology offers [Brain2017, Mistry2017]: • More than 50 % less power consumption. This is a key feature for mobile industry for which the battery life is the top one problem. • 20 to 50 % increase in switching performance.