Kirchheim b. München. PE-CVD Systems by ULVAC | 30x faster than conventional low haze & high clarity chamber cleaning & glass-like Abrasion resistance discover it now!

4 天之前 · 一、典型应用：SiNx生长，一次性可放置2寸9片，4寸三片，6寸一片，8寸一片。 二、原理：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。

ulvac的化學氣相沉積設備專門用於生產高均勻性和高速率薄膜，可控制薄膜特性，如折射率、應力、電特性和濕化學蝕刻速率。 ULVAC PECVD有高密度電漿源, 並可依照製程需求，有高溫低溫兩種成膜機種供選擇，業界實績強， 設備架構從小型至大型的layout靈活度高 ...

ULVAC offers cluster-type and batch-type chemical vapor deposition systems and additionally offers systems specially designed for development, ranging from PE-CVD systems essential for a-Si and passive film deposition to metal CVD and thermal CVD systems.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process has very important role for thin‐film transistor‐liquid crystal display (TFT‐LCD) fabrication, enabling the deposition of the semiconductor channel layer and of the gate insulator in TFT array.

CME-200E/400 is the most suitable model in the PE-CVD series production system for deposition of Si films with application as Insulator or barrier layers. High-density plasma process with high-frequency (27.12 MHz) power supply. High-quality film using SiH 4 precursor: SiO 2, SiNx, SiON, a-Si, also for TEOS process for SiO 2 film.

pecvd：cc-200cz 在真空条件下，通过射频放电，让气体活化发生化学反应，在基板表面沉积形成薄膜。 成膜种类：SiO2，SiNx ，SiON。

枚叶式PE-CVD设备CME-200E/400是适用于Si系绝缘膜、barrier膜等成膜的量产用PECVD设备。 Load-lock式Plasma CVD设备CC-200/400是小型的使用便利的可对应从研究开发到量产的设备 …

枚葉式PE-CVD装置 CME-200E/400は、シリコン系の絶縁膜・バリア膜等の成膜に最適な、量産用PE-CVD装置です。 © ULVAC, Inc. All rights reserved. 株式会社アルバック製品「枚葉式PE-CVD装置 CME-200E/400」の概要、スペックなどをご紹介しています。

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …