一文概括MOS基础，以及Ids/gm/ro推导 - 知乎 - 知乎专栏
换句话说，l实际上是vds的函数。这种效应被称为“信道长度调制” 其中λ是“通道长度调制系数。如图2.26所示，这种现象导致id/ vds特性的斜率为非零，因此在饱和状态下，d和s之间存在非理想电流源。参数λ表示相对变异在vds公司对于一个给定的长度增加。
深度聊聊MOS管 - 知乎 - 知乎专栏
Vds 为常数时，Vgs 上升，Id 近似线性上升，表现出一种压控电阻的特性。 即曲线左边. 当 Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth 时，分析同上曲线左侧，电流Id随Vds上升而上升，为可变电阻区。 当 Vds>Vgs-Vth 后，我们可以看到因为DS之间的电场开始导致右侧的沟道变窄，电阻变大。 所以电流Id增加开始变缓慢。 当Vds增大一定程度后，右沟道被完全 夹断 了！ 此时DS之间的电压都分布在靠近D端的夹断耗尽区，夹断区的增大即沟道宽度W减小导致的电阻增大抵消了Vds对Id的 …
重要確認重點：MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極體的耐壓
2018年1月11日 · ・確認MOSFET的V DS 和I DS 位在額定值內，未出現異常的尖突和振盪。 ・確認施加在整流二極體的電壓，位在逆耐壓Vr額定值內，同時也一併確認波形如何。 ・和廠商提供的評估用機板相互比較，是較為實際有效的方式。 前一節從機上設計絕緣型返馳式轉換器開始，接著試作並評估是否符合設計目標，也就是輸出電壓和效率等電源規格。 而本節將說明規格以外的其他重要確認重點。 以下為預定說明項目。 一開始先評估一般規格，並說明確認重點的不同。 下 …
MOS基础工作原理——从内部结构理解 - CSDN博客
2022年8月24日 · 下图是MOS管的IDS和VGS与VDS 之间的特性曲线图，类似三极管。 下面我们先从器件结构的角度看一下MOS管的开启全过程。 1、Vgs 对MOS 管的开启作用. 一定范围内 Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth，Vgs 越大，反型层越宽，电流越大。 这个区域为 MOS 管的线性区（可变电阻区）。 即： Vgs 为常数时，Vds 上升，Id 近似线性上升，表现为一种电阻特性。 Vds 为常数时，Vgs 上升，Id 近似线性上升，表现出一种压控电阻的特性。 即曲线左边. 2、Vds …
带你看懂MOS管的每一个参数，使你受益匪浅_mos id-CSDN博客
2019年6月11日 · 在栅源短接，漏-源额定电压 (VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。 根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。 关于V (BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。 二、VGS最大栅源电压: VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。 设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。 实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性 …
MOS管的几条曲线 - CSDN博客
2022年9月25日 · 讨论了VGS和VDS对ID的影响，解释了MOS管在开关应用中的工作原理，特别是在饱和区的电流控制作用。 同时，介绍了MOS管的开启电压、反型层的形成以及沟道夹断现象。 以某65N041器件为例，通过分析其曲线，来分析 MOS管 的工作特性。 一、转移特性曲线 (VGS-ID曲线) 说明的是栅极电压VGS对ID的控制作用。 从上图曲线可得到： 1、测试条件：VDS=20V； 2、VGS的开启电压VGS (th)，约5V，且随着温度的升高而降低； 3、VGS需要达到10V以 …
一文详解NMOS管的特性曲线（二）——转移特性曲线 - 知乎
2023年8月4日 · 取晶体管处于饱和区时较大的VDS值，如15V, 使晶体管处于饱和区，做Sqrt(ID)-VGS的曲线，反向延长该曲线，其与X轴的交点即为阈值电压。 迁移率 的提取方法： 根据线性区源漏电流的表达式，取VDS为较小的值，如0.1V时，做ID-（VGS-Vth）的曲线，求该曲线的斜率 ...
transistors - Understanding the curves of a MOSFET - Electrical ...
2021年3月10日 · What do the curves and the red dot represent in the following MOSFET Id vs Vds and Vgs characteristic graph? Answer. Part A - Meaning of the curves and the operation point. The green (update: pale cyan) region is the "saturation" region. The yellow region is the "linear", or "ohmic", or "triode" region.
重要检查点：MOSFET的VDS和IDS、输出整流二极管的耐压 - 电 …
2022年9月16日 · 重要检查点：mosfet的vds和ids、输出整流二极管的耐压 前项介绍了从绝缘型反激式转换器的机上设计开始，接着试作并进入评估，评估是否符合设计目标，也就是输出电压和效率等电源规格的话题。
2005年10月6日 · How does a MOSFET work? the current-voltage characteristics of a MOSFET? 1. MOSFET: layout, cross-section, symbols. Image removed due to copyright restrictions. 2. Qualitative operation. Initially consider source tied up to body (substrate or back). with V DS > 0. of relative height of source and drain reservoirs.