VSRD optimizes the 3D bounding boxes and residual signed distance fields (RDF) for each target frame. The optimized 3D bounding boxes can be used as pseudo labels for training of any 3D object detectors.

2024年4月16日 · 本文提出了一种名为 VSRD（Volumetric Silhouette Rendering for Detection）的新型弱监督 3D 检测框架。 这种训练框架不需要使用任何3D GT标签或者LiDAR点云，只凭借多视角的2D信息来训练3D检测器。

To tackle this problem, we propose a novel weakly supervised 3D object detection framework named VSRD (Volumetric Silhouette Rendering for Detection) to train 3D object detectors with-out any 3D supervision but only weak 2D supervision.

2024年3月29日 · To tackle this problem, we propose a novel weakly supervised 3D object detection framework named VSRD (Volumetric Silhouette Rendering for Detection) to train 3D object detectors without any 3D supervision but only weak 2D supervision.

2021年11月1日 · 在MOS管中，Vdsat是指MOS管的饱和区漏电流对源漏电流的影响，即漏极电压（Vds）达到一定值后，漏电流不再随电压的增加而线性增加，而是呈现出饱和状态，此时的漏极电压称为Vdsat。

2024年10月6日 · Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。 不同Vds值下，MOSFET可能工作在欧姆区（线性区）、饱和区（或活动区）等。

通常开关管的损坏有两种原因：一种是温度，另外一种则是Vds电压超标。 Vds电压测量是开关电源全部测量项目中对示波器系统带宽要求最高、且也是最容易犯错，相对的也是测试不准时后果比较严重的一项测试。应该怎样解决Vds电压的精确测量，注意以下几点：

vds（漏源电压） 定义与作用. vds是指mosfet的漏极（d）与源极（s）之间的电压。当mosfet导通时，vds主要影响mosfet的导通电阻（rds(on)）和功率损耗。在mosfet截止时，vds决定了mosfet的耐压能力。 应用场景的重要性

个人认为在开关管S1关断器件，低频工作时MOS Vds电压产生振荡的原因是LC电路造成，也就是图3中的π型电路的固有振荡频率。 测试400kHz时，电路依然会振荡，不过这时却发现类似软开关ZVS的波形，如图4所示。

2024年9月29日 · 了解MOSFET中Vgs（栅极-源极电压）与Vds（漏极-源极电压）的相互作用是设计高效电路的关键。 本文详细剖析了Vgs与Vds在不同工作区间的作用机制,并提供了实际电路设计中的优化建议和典型应用案例。