2019年9月27日 · VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。 设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。 实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 ID定义为芯片在最大额定结温TJ (max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。 该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的 函数： ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管 …

VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。 设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。 实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 ID定义为芯片在最大额定结温TJ (max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。 该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数： ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度 …

2023年12月25日 · MOSFET 的栅极阈值电压 Vth 是在其源极和漏极区域之间产生传导通道所需的最小栅偏压。 考虑驱动电路和驱动电流时， MOSFET 的栅极电荷 Qg 比其电容更加重要。 图 1.4 所示为增加栅极电压所需的栅极电荷的参数定义。 1.2.2. 计算 MOSFET 栅极电荷. MOSFET 开启期间， 电流流到其栅极， 对栅源电容和栅漏电容充电。 图 1.5 显示了栅极电荷的测试电 路。 图 1.6 显示了对栅极端子施加恒定电流时获得的栅源电压随时间变化的曲线。 由于栅电流恒定， …

在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的 栅源电压 （VGS）的最小值。 对于NMOS管，当VGS大于Vth时，管子开始导通。 VGS范围：正负20V。 这意味着该NMOS管 可以承受从-20V到+20V的栅源电压。 VGSth范围：0.8V（min）到1.5V（max）。 这意味着为了使NMOS管从截止状态变为导通状态， 栅源电压VGS至少需要达到2V，但也可能在1.5V时才开始明显导通。 功耗：如果VGS设置得太高，虽 …

2024年10月6日 · Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。 增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流

2024年4月8日 · 文章探讨了在给定nmos管的vgs范围和vgsth范围下，如何确定最合适的栅极电压，考虑了功耗、稳定性以及噪声裕量。 分析显示，VGS=4.5V到10V之间有较好的性能平衡，但在实际应用中需结合具体条件综合考虑。

根据你所需要的漏极电流计算需要多大门极电压变化，再加上Vgs(th)，即可得到进入可变电阻区的最小门极电压。 注意这是你所需要的最小门极电压，通常为保险起见，应该对门极施加更大的电压，以保证管子充分进入可变电阻区。

2024年8月3日 · mos管的工作状态与nmos管的i v特性曲线介绍mos管的工作状态分为以下4个区域，以nmos为例：(1)截止区：当vgs(2)线性区：当vgs>vth, 且0此时

2024年9月29日 · 本文详细剖析了Vgs与Vds在不同工作区间的作用机制,并提供了实际电路设计中的优化建议和典型应用案例。 通过深入理解MOSFET内部电压关系,提升电路性能和设计质量。

2023年8月4日 · 亚阈值区 ：Vgs<Vth, 沟道逐渐开启，MOS管进入弱反型状态，电流开始急剧增加。 其中有个比较关键的指标，亚阈值摆幅( SS )，它表示漏极电流变化一个数量级所需的栅极电压增量，较好性能的MOS管其SS值应较小，即较小SS就可以引起一个数量级漏极电流的增加。