2016年3月16日 · There are three basic regions of operation for a MOSFET. Simplifying a bit, they are: In your circuit, R1 limits your drain current to about 1 milliamp, which is pretty small. It …

阈值电压（Gate-source threshold voltage，VGS (th)）是MOSFET的重要参数之一，因为它决定着器件的性能和应用范团。 阈值电压Vth定义为可以在源极和漏极之间形成导电沟道的最小栅 …

2018年9月13日 · Since there is a threshold voltage (Vt) required to invert the charge under the gate, this means that the effective gate voltage is: V g Vgs = - Vt Vgs > Vt + -

以上MOS电流公式是数学推导 小插曲：如何理解两个问题： 为什么继续增大VDS电流基本不变?简而言之表面是增大了VDS, 其实有效的VDS 始终是 VGS-VTH，而增大的VDS去改变夹断长度 …

2023年10月5日 · 栅极电压与衬底电压之差大于阈值电压（VTH）是保证MOS管正常工作的必要条件，但并不足够决定MOS管的导通与截止。 栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关 …

2018年6月15日 · Vdsat=Vgs-Vth 是一个基于沟道夹断的近似模型，实际上并不是很准确，尤其是在短沟道器件、FINFET器件误差会较大。 实际的Vdsat会比这个值更小。 沟道夹断模型认为 …

2017年10月26日 · MOSFET的V GS (th)：閘極閾值電壓是為使MOSFET導通，閘極與源極間必需的電壓。 也就是說，V GS 如果是閾值以上的電壓，則MOSFET可導通。 可能會有人提出疑 …

2019年6月11日 · VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。 设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。 实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随 …

2017年10月26日 · NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况 (低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。

2024年9月29日 · 本文详细剖析了Vgs与Vds在不同工作区间的作用机制,并提供了实际电路设计中的优化建议和典型应用案例。 通过深入理解MOSFET内部电压关系,提升电路性能和设计质量。