vgs(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断mosfet时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。 正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。

2015年2月26日 · Vgs(th) is the voltage at which the mosfet channel begins to conduct. At this voltage, a positive voltage, it creates an electric field, which attract electrons (since our applied voltage is positive, so positive charges on gate).

2019年9月27日 · vgs(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断mosfet时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。 正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。

2018年11月30日 · vgsth（栅极到源极阈值电压）：是mosfet开始导通所需的最小栅极电压。当vgs达到vgsth时，mosfet从截止状态转变为导通状态。vgsth是mosfet的一个特性参数，通常在器件的数据手册中给出，且会受到结温、漏极电压和漏极电流的影响。

VGS (th) 表示的是MOS的开启电压 (阀值电压)，对于NMOS，当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS (th) 时，NMOS就会导通。 IGSS 表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。 IDSS 表示漏源漏电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源漏流，一般在微安级。 RDS (ON) 表示MOS的导通电阻，一般来说导通电阻越小越好，其决定MOS的导通损耗，导通电阻越大损耗越大，MOS温升也越高，在大功率电源中，导通损耗会占MOS整个损耗中较大的比 …

阈值电压（Gate-source threshold voltage，VGS(th)）是MOSFET的重要参数之一，因为它决定着器件的性能和应用范团。 阈值电压Vth定义为可以在源极和漏极之间形成导电沟道的最小栅极偏压。

2022年11月18日 · 只有当施加足够的正向栅源电压(Vgs)，使得Vgs超过阈值电压(Vth)时，沟道才会形成并导通电流。 对于n沟道E-MOSFET，在正常操作条件下，通过增加Vgs可以吸引更多的电子进入沟道区域，从而降低电阻并允许更大的漏源电流(Id)[^1]。

栅极阈值电压是功率MOSFET器件的静态参数之一，简称为 Vgs-th，其中gs表示从Gate到Source，th表示threshold。 对于增强型MOSFET，可以用下图来说明 Vgs 的作用。 短接D极和S极，调节G极对S极的电压 Vgs。 当Vgs较低时，栅极附近因为存在耗尽层，不能形成导电通道，见下图（a）。 如果逐渐增大Vgs，正电荷推挤衬底内的空穴，吸引自由电子，就会形成导电沟道（Channel）。 继续增大Vgs，沟道会变宽，意味着更低的电阻，更好的导电性，见下 …

The threshold voltage, commonly abbreviated as V th or V GS (th), of a field-effect transistor (FET) is the minimum gate-to-source voltage (V GS) that is needed to create a conducting path between the source and drain terminals. It is an important scaling factor to …

2012年4月16日 · Vgs: 指 g 和 s 之耐压值, 一般为± 20V. Vgs(th):MOSFET 开始 ON 时的输入电压值.