VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），垂直双扩散MOS晶体管： 与横向扩散MOSFET（LDMOSFET）一样，这也是功率MOSFET的一种基本结构（见图《VDMOSFET》示）。 比LDMOSFET占用的面积小, 相应频率特性也得以改善；沟道长度L与光刻精度无关, 则可使L减短；n漂移区使S-D不容易穿通, 则耐压提高；可多个单元并联, 使电流容量增大；采用六角形分布的图形 (HEXFET，见图《VDMOSFET》示), 可使沟道宽度增大, 导通电阻降低；工艺上也 …

VMOSFET：V型槽MOSFET，出现于上世纪70年代。 该设计率先投入商业应用，其在栅极区域有一个V型槽。 由于制造的稳定性问题和V型槽尖端的高电场，VMOSFET被DMOSFET取代。 DMOSFET：双扩散MOSFET，出现于上世纪80年代。 其沟道区是以多晶硅作为掩膜进行双扩散形成的，即自对准工艺。 又可分为横向双扩散LDMOSFET和垂直双扩散VDMOSFET。 UMOSFET：沟槽栅MOSFET。 1984年D.Ueda首次把槽栅技术应用于UMOSFET的制造，一 …

2022年9月2日 · 随着VMOS技术移植到MOS功率器件后，VMOSFET的耐压可达到1000V以上，电流处理能力可达到几百安培。 这得益于VMOSFET短沟道、高电阻漏极漂移区和垂直导电电路等特点。 VMOSFET具有VVMOS和VDMOS两种结构，下面分别来说说。 VVMOS结构介绍. VVMOS结构示意图. 如上图所示，这种结构是在N+衬底和N-漂移层上，先后进行P型区N+型区两次扩散，然后利用晶体硅的各向异性刻蚀技术，造出V型槽。 槽的开口深度由开口宽度决定，槽壁和硅平 …

2023年10月17日 · 主键有代理主键 与 业务主键两种类型划分. 构成业务主键的字段有实际的业务涵义.比如一张PEOPLE表,主键是身份证号,这个主键就是业务主键,它有实际的涵义. 它就表示一个人的身份证号,标识表中一行数据. 代理主键是种纯粹的技术手段,比如SEQUENCE号,一. 文章浏览阅读6.9k次，点赞12次，收藏60次。 目录组会PPT展示（10.13）LDMOS器件概述VDMOS器件概述前景展望组会PPT展示（10.13）LDMOS器件概述VDMOS器件概述前景展望_ldmos.

2023年7月29日 · 金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）在过去十几年里，引发了电源工业的革命，大大促进了电子工业的发展。 其中又以 功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 （Power Vertical Double diffused MOSFET）近年来的发展最应人注目。 功率VDMOSFET管是三端管脚的电压控制型开关器件，在开关电源电路中的使用和双极型晶体管类似。 其电气符号如图1，三端引脚分别定义为栅极（Gate），漏 …

In this paper, a novel VDMOSFET structure, which achieves a small gate charge without significantly degrading the specific on-resistance, is proposed. In addition, an analytical model is proposed to explain the gate charge reduction and is supported by device simulations.

2019年11月8日 · 功率vdmosfet管是三端管脚的电压控制型开关器件，在开关电源电路中的使用和双极型晶体管类似。 其电气符号如图1，三端引脚分别定义为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。

功率VDMOS是由多个元胞并联而成，常用 元胞结构有：条形元胞、方形元胞、六角 形元胞等 并联的元胞结构可以增大整个器件的导电 沟道长度L，提高器件的电流能力。 但是 必须保证每个元胞都必须是可靠的，否则 一个元胞的失效就会导致整个器件失效。 同时，为了将外延层底部的耗尽层边界平 滑收敛到鞋表面，提高器件表面的击穿电 压，必须在元胞区域的外围加上终端结构。 …

VDMOS管是一款声效应 功率晶体管。 80年代以来，迅猛发展的 超大规模集成电路 技术给高压大电流半导体注入了新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是VDMOS声效应 功率晶体管。 这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。 在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流. VDMOS兼有 双极晶体管 和普通MOS器件的优点。 与双极晶体管相比，它的开关速度，开关 …

2024年10月16日 · 垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）是一种常见的功率半导体器件，广泛用于电子设备中的功率转换和开关控制。 VDMOS凭借其独特的结构设计和优异的性能，已成为电力电子领域的领先技术。 VDMOS器件的正式名称是Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，它采用垂直结构来实现电流流动。 与水平结构的MOSFET相比，VDMOS采用垂直电流路径，这使其能够更好地处理更高功率并有效降低器件的导通电阻。 一、VDMOS的基 …