2023年11月8日 · 其中，中压紫外线（Medium Pressure Ultraviolet，简称MPUV）技术因其高能量输出和多功能性而备受关注。 VGE Inox是一家专注于MPUV技术的公司，本文将介绍VGE …

该特性表示了集电极-发射极间的电压(V CE)和门极-发射极间的电压(VGE)相对于门极充电电荷(Q g )的变化。 由于“Q g增加”表示”IGBT的G-E间的电容中有电荷被充入”,一旦Q g 充 …

在IGBT驱动电路设计中，可以采用三种方式来控制Vge之间的电压在器件允许的范围内。 第一种 如图二中VDZ，GE之间采用双向钳位二极管； 第二种 将门极通过快速二极管连接到驱动电 …

弥勒效应在IGBT或MOSFET带感性开关负载时，弥勒平台表现比较明显，在开通或关断过程中门极电压VGE或VGS不再符合门极电压的RC充电模型，而是在开关过程中有一段时间内门极这 …

IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时，漏极电流IC和 集电极-发射极电压VCE 之间的关系曲线。 由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP的复合结构，它的输出特性 …

VGES的基本含义是Maximum Gate-Emitter voltage with Collector-Emittershorted，即集电极与发射极短接时G-E间的最大电压；换言之，如果是共发射极接法（发射极接地或者接参考地）， …

2023年10月31日 · 如下图所示，当集电极相对于发射极处于正电位时，N 沟道 IGBT 导通，而栅极相对于发射极也处于足够的正电位 (>V GET )。 这种情况导致在栅极正下方形成反型层，从而 …

Insufficient reverse bias gate voltage -VGE could cause both IGBTs in the upper and lower arms to be turned on after accidental turn-on, resulting in a short-circuit current flowing between …

静态和动态特性：VGE (th) 影响IGBT的静态和动态特性。 静态特性包括通态压降和漏电流等参数，而动态特性包括开关速度、传导损耗和关断延迟。

MPUV和LPUV的区别在于一个是中压UV，一个是低压UV。 但是是根据波长来区分两个还是怎么的？ 不太清楚具体如何区别这两个东西，我看文章的时候发现MPUV,LPUV好像都有很多个波 …