TSV的制作可以集成到生产工艺的不同阶段，通常放在晶元制造阶段的叫 Via-first，放在封装阶段的叫Via-last。 将TSV在晶圆制造过程中完成，此类硅通孔被称作Via-first。

依据TSV通孔生成的阶段可以分为：1）via-first；2）via-middle； 3）via-last。 可靠性问题 可以结合TSV工艺和结构的特性来联想3D封装的可靠性问题。

2022年1月26日 · 硅通孔技术（ TSV ， Through -Silicon-Via ）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的 IC 封装键合和使用凸点的 …

The execution order of the TSV fabrication steps depends on the chip fabrication stage at which the via is formed. There are three approaches available : before the devices fabrication (Via …

上一篇介绍了 金属互联层 双层大马士革工艺 中先开槽（Trench）后开孔（Via）的工艺流程. 本次为大家介绍 先开孔后开槽 的工艺流程. Via→Trench Trench→Via. 主要的工艺步骤分为. 薄膜 …

2019年10月24日 · Via-First工艺制备TSVs：TSVs在FEOL工艺之前制造，并且只能由fab完成。因为器件的制备（例如晶体管）比TSV重要得多，因此很难在fab中完成TSV工艺。 Via-Middle …

3D 積體電路中的矽通孔可以採用三種方法進行設計和放置： 1. 先通孔 (Via-first)： 先形成通孔，然後再將元件或鍵合裸片擺放在中介層上。 首先，在通孔中沉積金屬，然後覆蓋結構的頂 …

2018年6月20日 · 进一步发展出dual Damascene工艺，这里的dual是指同时形成via和metal两层。 Dual Damascene还可进一步细分，包括via first、trench first和self-aligned三类, 1) Trench first. …

2024年1月15日 · 🟩硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D 封装的关键工艺之一。 通过垂直 …

But the via-first approach has also many advantages and in particular allows the use of high thermal budget materials for high voltage applications. In this work, we will show results on …