2024年8月26日 · 晶圆级封装(Wafer Level Packaging，缩写WLP)是一种先进的封装技术，与打线型（Wire-Bond）和倒装型（Flip-Chip）封装技术相比 ，能省去打金属线、外延引脚（如QFP）、基板或引线框等工序。

WLCSP可以被分成两种结构类型：直接 BOP （bump On pad）和重新布线(RDL)。为了给大家两种结构的直观印象，直接上图: BOP即锡球直接长在die的Al pad上，而有的时候，如果出现引出锡球的pad靠的较近，不方便出球，则用重新布线（RDL）将solder ball引到旁边。

2024年3月24日 · 重布线层（RDL）是对芯片的铝/铜焊区位置重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。 光刻胶作为选择性电镀的模板以规划RDL的线路图形，最后湿法蚀刻去除光刻胶和溅射层。 涂覆第二层聚合物薄膜，是圆片表面平坦化并保护RDL层。 在第二层聚合物薄膜光刻出新焊区位置。 凸点下金属层（Under Bump Metallurgy，UBM）采用和RDL一样的工艺流程制作。 植球。 焊膏和焊料球通过掩膜板进行准确定位，将焊料球放置 …

晶圆级封装分为 扇入型晶圆级芯片封装 （Fan-In WLCSP）和 扇出型晶圆级芯片封装 （Fan-Out WLCSP），其特点是在整个封装过程中，晶圆始终保持完整。 除此之外，重新分配层（RDL）封装、倒片（Flip Chip）封装及硅通孔（TSV）封装通常也被归类为晶圆级封装，尽管这些封装方法在晶圆切割前仅完成了部分工序。 不同封装方法所使用的金属及电镀（Electroplating）绘制图案也均不相同。 不过，在封装过程中，这几种方法基本都遵循如下顺序。 完成晶圆测试后，根据 …

2022年7月1日 · 重分佈製程 (RDL)是將原設計的IC線路接點位置 (I/O pad)，透過晶圓級金屬佈線製程和凸塊製程來改變其接點位置，使IC能應用於不同的元件模組。 重新分佈的金屬線路如果是以金 (Au)材料為主，則稱為金線路重分佈 (Au-RDL)。 所謂的晶圓級金屬佈線製程，是先在IC上塗佈一層保護層，再以曝光顯影的方式定義新的導線圖案，接下來再利用電鍍和蝕刻技術製作新的金屬導線，以連結原鋁墊 (Al pad)和新的金墊 (Au pad)或凸塊 (bump)，達到線路重新分佈的目的。 …

1 天前 · 開始WLP多採用Fan-in型態，可稱之為Fan-in WLP 或者FIWLP，主要應用於面積較小、引腳數量少的晶片。 FOWLP，由於要將RDL和Bump引出到裸晶片的外圍，因此需要先進行裸晶片晶圓的劃片分割，然後將獨立的裸晶片重新配置到晶圓工藝中，並以此為基礎，通過批量處理 ...

RDL （ReDistribution Layer，重布线层） 是 晶圆级封装 （WLP）中的关键结构，用于重新分配芯片的输入/输出（I/O）接点位置。传统芯片的I/O焊盘（Pad）通常位于芯片边缘，限制了封装密度和信号传输效率。

重布线层（Re-distribution Layer，简称RDL）是芯片封装技术中的重要一环。 它通过重新分布芯片上的电路连接，优化了电气性能并减小了封装尺寸。 引线键合（Bond Wire）则是将芯片上的连接点与外部引脚相连接的工艺，确保了芯片的正常工作。

2023年10月29日 · 本文详细介绍了WLP（晶圆级封装）的工艺流程，包括RDL形成、Cu Pillar作成、背面和正面的薄化与金属化、粘接固化等步骤。 同时，探讨了面向WLP的成膜/加工技术，如Polyimide（PI）形成、Seed层溅射、Cu&Ti刻蚀以及Footing去除等关键环节。

2024年12月19日 · 在芯片设计和制造中，RDL（Redistribution Layer，重分布层） 是指通过在芯片上增加金属布线层来重新分布芯片的信号连接。RDL主要用于将芯片内部的信号引出到所需的位置，以便于后续封装或连接其他电路。