
Polymorphism in Type-II Dirac Semimetal WSi 2 under Pressure ...
2024年11月7日 · The results confirms that WSi 2 has the properties of a type-II Dirac semimetal. Our results demonstrate that WSi 2 maintains structural stability under high pressure but undergoes an electronic phase transition from a semimetal to a metal around 40 GPa. Additionally, the mechanical hardness softens discontinuously at this pressure.
TiB <sub>2</sub> -WSi <sub>2</sub>复合材料的致密化,表征 …
测量了具有变化的WSi 2 的复合材料的硬度值,发现这些值在24-26 GPa的范围内。 断裂韧性在4–6 MPa.m 1/2 的范围内,高于整体式TiB 2 (3–4 MPa.m 1/2 )。 裂纹挠曲和桥接机制是造成较高断裂韧性的原因。
Tungsten disilicide - Wikipedia
Tungsten disilicide (WSi2) is an inorganic compound, a silicide of tungsten. It is an electrically conductive ceramic material. Tungsten disilicide can react violently with substances such as strong acids, fluorine, oxidizers, and interhalogens. It is used in microelectronics as a contact material, with resistivity 60–80 μΩ cm; it forms at 1000 °C.
The structure, mechanical and electronic properties of WSi 2 from …
2019年9月1日 · Our work indicates that WSi 2 shows high elastic modulus. In comparison to other structures, C54 structure is a dynamically stable and exhibits better ductile behavior. Importantly, WSi 2 with C11 b, C49 and C54 structures show excellent electronic properties because of localized hybridization between W-5d state and Si-3p state.
WSi2 在高压下的物理性能和机械行为,Silicon - X-MOL
在这项研究中,我们使用同步辐射 X 射线衍射和硅油作为压力传输介质,在室温下研究了二硅化钨 (WSi 2 ) 到 35.5 GPa 的压缩行为。 WSi 2 在研究的压力范围内没有发生结构相变。
WSi2 modified HfB2-SiC coating: Microstructure and ablation …
2023年12月1日 · To enhance the ablation resistance of carbon/carbon composites, WSi 2 modified HfB 2-SiC coating was prepared by slurry dipping combined with vapor silicon infiltration. The effect of WSi2 contents on the ablation performance of the coating was investigated.
WSI Polycide工艺的研究 - 百度文库
本文用Precision 5000设备淀积硅化钨膜层,采用WF6-SiH4-H2反应体系,这是因为WF6具有很低的沸点19.5℃,与H2及SiH4的反应温度低,使用方便,而且用WF6体系淀积具有非常好的选择性 [4]。 薄膜的化学组分主要依赖于反应气体的流量比及淀积温度,主要反应为:WF6 + SiH4→WF6 +SiF4 +H2,反应温度400℃。 本工艺线正常的清洗步骤为:10︰1HF漂SiO2→3#液→1#液→2#液清洗,目的是为了使WSI淀积前硅片表面光滑,无有机物、无机物、金属及其他颗粒、沾污。 …
溅射 W/Si 和 WSi2/Si 多层膜中的非对称界面和生长机制,Applied …
本文介绍了 W/Si 和 WSi 2 /Si 多层膜的比较研究,用于分析 Si 基多层膜中的不对称界面效应。 利用掠入射X射线反射率、X射线衍射、X射线漫散射、全外反射X射线漫散射和透射电子研究了W/Si和WSi 2 /Si多层膜的界面特性、结晶和生长机制显微镜。
钨硅合金靶材(WSi) - 合金靶材 - 江西科泰新材料有限公司
钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。 江西科泰新材料有限公司专业生产提供靶材,合金靶材,陶瓷靶材,蒸发镀膜材料,半导体材料,稀土材料,特种合金,高熵合金等,是一家提供“一站式材料定制”生产的国家级高新技术企业。
(WSI分类)WSI分类文献小综述 2024 - CSDN博客
2024年4月9日 · 为解决这一问题,我们提出了一种重新嵌入区域转换器(Re-embedded Regional Transformer,R2T),用于在线重新嵌入实例特征,它可以捕捉细粒度的局部特征,并在不同区域之间建立连接。 与现有的专注于预先训练功能强大的特征提取器或设计复杂的实例聚合器的工作不同,R2T 专门用于在线重新嵌入实例特征. Mamba做的,不做评价。 Mamba+TransMIL的魔改,不做评价,列出来仅仅是因为用的是比较火的Mamba。 实验做得不太能让人信服。 待更新 …