2025年2月1日 · One among them is the reconfigurable field effect transistors (RFET). In the traditional MOSFETs, the gate is used to control the channel current flow. But in RFETs, the purpose of the gate is two-fold, one to control the channel and another to program the channel/device as P or N type.

可重构场效应晶体管 (RFET) 是一种电子器件，其导电机制可以在 n 型和 p 型工作模式之间可逆地重构。 为了实现这一功能，这些器件不依赖于由杂质引起的化学掺杂，而是依赖于静电掺杂，即通过外部电位产生移动载流子。

2021年12月1日 · The reconfigurable field-effect transistor (RFET), is an electronic device whose conduction mechanism can be reversibly reconfigured between n-type and p-type operation modes. To enable this functionality, those devices do not rely on chemical doping caused by impurities but rather on electrostatic doping, i.e. the generation of mobile carriers ...

IT之家 3 月 29 日消息，来自奥地利维也纳工业大学的科研团队近日开发出新型晶体管技术--可重构场效应晶体管（RFET）， 可用于构建具有可随时编程功能的电路。 一颗 CPU 固然拥有数十亿个晶体管，但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。 传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤，就是为纯的本征半导体引入杂质，从而改变电气属性的过程。 掺杂过程决定了电流的流动方向，一旦晶体管被制造出来就无法改变。 RFET 则是静电掺杂取代了化学掺杂， …

In this study, the Complementary RFET (CRFET) was studied to overcome this limitation by optimizing p-type and n-type doping in a vertically stacked RFET configuration.

2017年2月1日 · The RFET main advantages are: (i) no doping required for S/D regions (no random dopant fluctuations), (ii) fewer fabrication steps and lower thermal budget (no S/D implantation, epitaxy or dopant activation), (iii) reversible operation and (iv) possible reduction in the number of devices for similar logic functions.

随着超大规模集成电路工艺飞速发展到5nm节点以下,gaa(gate-allaround)器件有望代替fin fet器件成为5nm节点及以下的主流器件.摩尔定律的发展伴随着巨大的经济上的投入,工艺技术的壁垒与经济的制约,导致摩尔定律在未来十年可能到达其物理极限.后摩尔时代新型器件 ...

2024年4月1日 · 来自奥地利维也纳工业大学的科研团队近日开发出新型晶体管技术 -- 可重构场效应晶体管（rfet），可用于构建具有可随时编程功能的电路。 一颗 CPU 固然拥有数十亿个晶体管，但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。

本文提出了一种新型带漏端拓展区结构的非对称型可重构场效应晶体管 (UCED-RFET),该器件可依靠结构上的优势极大的提升器件的开态电流。 此外,本文还深入研究了UCED-RFET在基本逻辑电路单元的应用,并设计了新型SRAM结构单元,能够有效的解决传统SRAM单元的读写矛盾,提升了器件使用的灵活性。 本论文的主要研究工作与成果如下:基于现有的RFET器件结构和传统肖特基器件的优化思路,本论文设计了一种非对型的可重构晶体管,借助TCAD数值仿真工具,设计了该器件的 …

随着晶体管特征尺寸逐步逼近硅物理极限,仅仅通过尺寸缩放来获得晶体管性能提升与经济效益越发困难.如何独辟蹊径,开发原理,新结构的半导体器件是后摩尔时代集成电路器件技术新兴研究热点.可重构场效应晶体管(rfet)即是其中一个突出代表,凭借其特有的极性 ...